260A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
Infineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-GigaMOS™HEXFET®HiPerFET™, TrenchT2™OptiMOS™-5STripFET™ H6TrenchT2™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V100 V170 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.29 毫欧 @ 50A,10V1.3 毫欧 @ 22.5A,10V1.5 毫欧 @ 25A,10V1.8 毫欧 @ 30A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V1.95 毫欧 @ 60A,10V2.5 毫欧 @ 76A,10V3 毫欧 @ 38A,10V3.3 毫欧 @ 50A,10V5.2 毫欧 @ 60A,10V6.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)2.35V @ 150µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3.6V @ 1mA3.8V @ 210µA4V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
61.5 nC @ 4.5 V86 nC @ 4.5 V91 nC @ 10 V93 nC @ 10 V110 nC @ 4.5 V140 nC @ 10 V161 nC @ 10 V166 nC @ 10 V209 nC @ 10 V400 nC @ 10 V640 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5890 pF @ 15 V6375 pF @ 25 V6712 pF @ 25 V8100 pF @ 30 V8250 pF @ 25 V8420 pF @ 15 V10589 pF @ 25 V10589 pF @ 30 V10800 pF @ 25 V11830 pF @ 50 V24000 pF @ 25 V45000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)3.8W(Ta),300W(Tc)166W(Tc)230W(Tc)242W(Tc)300W(Tc)330W(Tc)375W(Tj)480W(Tc)1070W(Tc)1670W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DSOP AdvanceD2PAKLFPAK88(SOT1235)PG-HSOF-8-1PLUS247™-3PowerFlat™(5x6)SOT-227BTO-220-3TO-220ABTO-247(IXTH)TO-263-7TO-263-7(IXTA)TO-263AATO-264AA(IXFK)
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFNSOT-1235SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CBTO-264-3,TO-264AA超级 D2-封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果
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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,671
现货
1 : ¥22.82000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.88589
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260A(Tc)
4.5V,10V
1.29 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
5,542
现货
1 : ¥40.31000
剪切带(CT)
2,000 : ¥19.62453
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tc)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 210µA
166 nC @ 10 V
±20V
11830 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-220AB PKG
IRLB3813PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Infineon Technologies
5,271
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
4.5V,10V
1.95 毫欧 @ 60A,10V
2.35V @ 150µA
86 nC @ 4.5 V
±20V
8420 pF @ 15 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PSMN1R9-80SSEJ
BUK7S1R5-40HJ
MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88
Nexperia USA Inc.
2,016
现货
1 : ¥23.56000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.46534
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
260A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
93 nC @ 10 V
+20V,-10V
6712 pF @ 25 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO247
Littelfuse Inc.
300
现货
510
工厂
1 : ¥63.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
260A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
10800 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
MCBS220N04Y-TP
MCBS260N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Micro Commercial Co
1,550
现货
1 : ¥48.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
161 nC @ 10 V
±20V
10589 pF @ 25 V
-
375W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
TO-220-3
IXTP260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
Littelfuse Inc.
67
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
260A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
10800 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
MCBS260N10YHE3-TP
MCBS260N10YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Micro Commercial Co
0
现货
查看交期
1 : ¥55.76000
剪切带(CT)
800 : ¥33.65390
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
161 nC @ 10 V
±20V
10589 pF @ 30 V
-
375W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
PowerFlat™
STL260N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
3,000 : ¥7.41055
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
4.5V,10V
1.3 毫欧 @ 22.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
61.5 nC @ 4.5 V
±20V
6375 pF @ 25 V
-
166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-263AB
IXTA260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥28.96203
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
260A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
10800 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7
IXTA260N055T2-7
MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥34.56793
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
260A(Tc)
10V
3.3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
10800 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7(IXTA)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
Super D2-Pak
IRFBL3703
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥39.17660
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
7V,10V
2.5 毫欧 @ 76A,10V
4V @ 250µA
209 nC @ 10 V
±20V
8250 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-
-
-
表面贴装型
超级 D2-封装
超级 D2-封装
IXYK1x0xNxxxx
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥308.82143
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
170 V
260A(Tc)
10V
5.2 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
640 nC @ 10 V
±20V
45000 pF @ 25 V
-
1070W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-220AB PKG
IRL3713PBF
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 38A,10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 4.5 V
±20V
5890 pF @ 15 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL3713SPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 38A,10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 4.5 V
±20V
5890 pF @ 15 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL3713STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 38A,10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 4.5 V
±20V
5890 pF @ 15 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL3713STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
260A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 38A,10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 4.5 V
±20V
5890 pF @ 15 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-264
IXFK260N17T
MOSFET N-CH 170V 260A TO264AA
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
170 V
260A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
400 nC @ 10 V
±20V
24000 pF @ 25 V
-
1670W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
TO-247 Plus X
IXFX260N17T
MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247-3
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
170 V
260A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
400 nC @ 10 V
±20V
24000 pF @ 25 V
-
1670W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
显示
/ 19

260A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。