106A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

UJ4SC075009K4S 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE Qorvo	558 现货	1 : ¥304.75000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	106A（Tc）	12V	11.5 毫欧 @ 70A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3340 pF @ 400 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4	TO-247-4
UJ4SC075009B7S 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC Qorvo	1,052 现货	1 : ¥313.70000 剪切带（CT） 800 : ¥208.02900 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	106A（Tc）	12V	11.5 毫欧 @ 70A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3340 pF @ 400 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IRF3808STRLPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Infineon Technologies	2,805 现货	1 : ¥24.22000 剪切带（CT） 800 : ¥14.64026 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	106A（Tc）	10V	7 毫欧 @ 82A，10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	5310 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UJ4SC075008L8S SICFET N-CH 750V 106A TOLL Qorvo	93 现货	1 : ¥414.11000 剪切带（CT） 2,000 : ¥195.80553 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	106A（Tc）	12V	11.4 毫欧 @ 70A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3340 pF @ 400 V	-	600W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TOLL	8-PowerSFN
NTBG025N065SC1 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 onsemi	2,319 现货	1 : ¥162.97000 剪切带（CT） 800 : ¥112.50383 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	106A（Tc）	15V，18V	28.5 毫欧 @ 45A，18V	4.3V @ 15.5mA	164 nC @ 18 V	+22V，-8V	3480 pF @ 325 V	-	395W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
NVBG025N065SC1 SIC MOS D2PAK-7L 650V onsemi	800 现货	1 : ¥218.22000 剪切带（CT） 800 : ¥144.74678 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	106A（Tc）	15V，18V	28.5 毫欧 @ 45A，18V	4.3V @ 15.5mA	164 nC @ 18 V	-	3480 pF @ 325 V	-	395W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
GSFT10020 MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2 Good-Ark Semiconductor	1,600 现货	1 : ¥27.91000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	106A（Tc）	10V	10.7 毫欧 @ 88A，10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	4720 pF @ 100 V	-	278W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GSFA20106 MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2 Good-Ark Semiconductor	128 现货	1 : ¥36.94000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	106A（Tc）	10V	10.7 毫欧 @ 88A，10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±20V	4720 pF @ 100 V	-	340W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
APT106N60B2C6 MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX Microchip Technology	32 现货	1 : ¥136.20000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	106A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 53A，10V	3.5V @ 3.4mA	308 nC @ 10 V	±20V	8390 pF @ 25 V	-	833W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	T-MAX™ [B2]	TO-247-3 变式
APT106N60LC6 MOSFET N-CH 600V 106A TO264 Microchip Technology	56 现货	1 : ¥172.00000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	106A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 53A，10V	3.5V @ 3.4mA	308 nC @ 10 V	±20V	8390 pF @ 25 V	-	833W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-264（L）	TO-264-3，TO-264AA
IPW65R018CFD7XKSA1 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION Infineon Technologies	80 现货	1 : ¥168.47000 管件	CoolMOS™ CFD7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	106A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 58.2A，10V	4.5V @ 2.91mA	234 nC @ 10 V	±20V	11659 pF @ 400 V	-	446W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3	TO-247-3
IXTN120P20T MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B Littelfuse Inc.	4 现货	1 : ¥429.21000 管件	TrenchP™	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	106A（Tc）	10V	30 毫欧 @ 60A，10V	4.5V @ 250µA	740 nC @ 10 V	±15V	73000 pF @ 25 V	-	830W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227B	SOT-227-4，miniBLOC
IPZA65R018CFD7XKSA1 HIGH POWER_NEW Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥176.84000 管件	CoolMOS™ CFD7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	106A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 58.2A，10V	4.5V @ 2.91mA	234 nC @ 10 V	±20V	11660 pF @ 400 V	-	446W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-3	TO-247-4
IRF3808LPBF MOSFET N-CH 75V 106A TO262 Infineon Technologies	0 现货	250 : ¥15.44968 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	106A（Tc）	10V	7 毫欧 @ 82A，10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	5310 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
UJ4SC075010L8S 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL Qorvo	0 现货查看交期	2,000 : ¥158.48542 散装	-	散装	在售	P 通道	SiCFET（碳化硅）	750 V	106A（Tc）	12V	14.2 毫欧 @ 60A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	耗尽模式	556W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	MO-229	8-PowerSFN
IXFN106N20 MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B IXYS	0 现货	10 : ¥179.18100 管件	HiPerFET™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	106A（Tc）	10V	20 毫欧 @ 500mA，10V	4V @ 8mA	380 nC @ 10 V	±20V	9000 pF @ 25 V	-	521W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227B	SOT-227-4，miniBLOC
UJ4SC075010L8SSR 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL Qorvo	0 现货查看交期	200 : ¥253.04795 散装	-	散装	在售	P 通道	SiCFET（碳化硅）	750 V	106A（Tc）	12V	14.2 毫欧 @ 60A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	耗尽模式	556W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	MO-229	8-PowerSFN
UJ4SC075010L8SSB 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL Qorvo	0 现货查看交期	5 : ¥389.43800 散装	-	散装	在售	P 通道	SiCFET（碳化硅）	750 V	106A（Tc）	12V	14.2 毫欧 @ 60A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	耗尽模式	556W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	MO-229	8-PowerSFN
IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	106A（Tc）	10V	7 毫欧 @ 82A，10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	5310 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3808STRRPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	106A（Tc）	10V	7 毫欧 @ 82A，10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	5310 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
AUIRF3808S MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	106A（Tc）	10V	7 毫欧 @ 82A，10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	5310 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
AOB2502L MOSFET N-CH 150V 106A TO263 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	106A（Tc）	10V	10.7 毫欧 @ 20A，10V	5.1V @ 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	3010 pF @ 75 V	-	277W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB