单 FET,MOSFET

结果 : 212
制造商
Vishay SiliconixWolfspeed, Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
500 V550 V600 V620 V650 V750 V800 V900 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A(Tc)2.9A(Tc)3A(Tc)4.2A(Tc)4.3A(Tc)4.4A(Tc)5A(Tc)5.4A(Tc)5.6A(Tc)6A(Tc)6.4A(Tc)7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 84.29A,15V21 毫欧 @ 55.8A,15V23 毫欧 @ 25A,10V28.8 毫欧 @ 62.1A,15V29 毫欧 @ 45A,10V29 毫欧 @ 62.12A,15V30 毫欧 @ 40A,10V34 毫欧 @ 33.5A,15V39 毫欧 @ 32A,10V40 毫欧 @ 36.5A,10V43 毫欧 @ 38.9A,15V47 毫欧 @ 30.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 3mA3.6V @ 10.7mA3.6V @ 17.1mA3.6V @ 4.84mA3.6V @ 8.77mA3.8V @ 10.7mA3.8V @ 15.4mA3.8V @ 17.1mA3.8V @ 2.33mA3.8V @ 23.18mA3.8V @ 4.84mA3.8V @ 5mA3.8V @ 8.77mA3.8V @ 9.22mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.5 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V18 nC @ 15 V19.6 nC @ 10 V22.5 nC @ 10 V23 nC @ 10 V28 nC @ 15 V32 nC @ 10 V33 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V+19V,-8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
172 pF @ 100 V180 pF @ 100 V315 pF @ 100 V321 pF @ 100 V347 pF @ 100 V414 pF @ 600 V422 pF @ 100 V578 pF @ 100 V622 pF @ 100 V680 pF @ 100 V730 pF @ 1000 V778 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
29W(Tc)30W(Tc)31W(Tc)32W(Tc)33W(Tc)34W(Tc)35W(Tc)37W(Tc)39W(Tc)48W(Tc)62.5W(Tc)63W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKIPAK(TO-251)PowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8PowerPAK®10 x 12SUPER-247™(TO-274AA)TO-220 整包TO-220ABTO-247-4LTO-247ACTO-247ADTO-251AATO-252AATO-263-7
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-251-3 长引线,IPak,TO-251ABTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-274AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
212结果
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/ 212
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SIHJ10N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,213
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.41008
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5A,10V
4.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
784 pF @ 100 V
-
89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 AC EP
SIHG018N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Vishay Siliconix
927
现货
1 : ¥135.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
99A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 25A,10V
5V @ 250µA
228 nC @ 10 V
±30V
7612 pF @ 100 V
-
524W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Vishay Siliconix
1,956
现货
1 : ¥24.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
15A(Tc)
10V
290 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±30V
1260 pF @ 100 V
-
179W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO220AB Package
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Vishay Siliconix
810
现货
1 : ¥34.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
35A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2557 pF @ 100 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK 8 x 8
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Vishay Siliconix
3,107
现货
1 : ¥40.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.69127
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2557 pF @ 100 V
-
184W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
D2PAK(TO-263)
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Vishay Siliconix
1,010
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
54 毫欧 @ 26.5A,10V
5V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
3722 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LM7812TP
SIHF065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Vishay Siliconix
943
现货
1 : ¥54.02000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±30V
2700 pF @ 100 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-247-3 AC EP
SIHG40N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Vishay Siliconix
759
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
197 nC @ 10 V
±30V
4436 pF @ 100 V
-
329W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
SIHD5N80AE-GE3
SIHD5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2
Vishay Siliconix
3,462
现货
1 : ¥8.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.4A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
321 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LM7812TP
SIHA6N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Vishay Siliconix
836
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
1 : ¥12.97000
管件
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5A(Tc)
10V
950 毫欧 @ 2A,10V
4V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±30V
422 pF @ 100 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
SIHA5N80AE-GE3
SIHA5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Vishay Siliconix
748
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
3A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
321 pF @ 100 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB
SIHP5N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Vishay Siliconix
1,008
现货
1 : ¥11.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.4A(Tc)
10V
1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±30V
321 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D-PAK (TO-252AA)
SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Vishay Siliconix
2,989
现货
1 : ¥14.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
550 V
10.5A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
886 pF @ 100 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SIHD11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Vishay Siliconix
2,950
现货
1 : ¥14.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±30V
804 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LM7812TP
SIHA11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Vishay Siliconix
897
现货
1 : ¥15.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±30V
804 pF @ 100 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB
SIHP11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
692
现货
1 : ¥16.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±30V
804 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
SIHP15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Vishay Siliconix
16,563
现货
1 : ¥16.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
15A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 8A,10V
4V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 100 V
-
180W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Vishay Siliconix
973
现货
1 : ¥17.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±30V
804 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SIHD14N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Vishay Siliconix
3,306
现货
1 : ¥18.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
309 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±30V
1205 pF @ 100 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Vishay Siliconix
3,070
现货
1 : ¥20.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
240 毫欧 @ 5.5A,10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
783 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Vishay Siliconix
368
现货
1 : ¥21.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
13A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 7.5A,10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1093 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LM7812TP
SIHF12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Vishay Siliconix
1,400
现货
1 : ¥22.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±30V
937 pF @ 100 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
D-PAK (TO-252AA)
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Vishay Siliconix
2,894
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
19A(Tc)
10V
195 毫欧 @ 9,5A,10V
5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LM7812TP
SIHF15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Vishay Siliconix
782
现货
1 : ¥24.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
15A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 8A,10V
4V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-220AB
SIHP24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Vishay Siliconix
1,777
现货
1 : ¥26.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
21A(Tc)
10V
184 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
1836 pF @ 100 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 212

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。