SIHB11N80AE-GE3

DigiKey 零件编号
742-SIHB11N80AE-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIHB11N80AE-GE3
描述
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
原厂标准交货期
28 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 800 V 8A（Tc） 78W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SIHB11N80AE-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
804 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
SIHB11
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥17.24000¥17.24
10¥14.32500¥143.25
100¥11.39870¥1,139.87
500¥9.64500¥4,822.50
1,000¥8.18365¥8,183.65
2,000¥7.77446¥15,548.92
5,000¥7.48220¥37,411.00
10,000¥7.23449¥72,344.90
制造商标准包装
Note: Due to DigiKey value-add services the packaging type may change when product is purchased at quantities beneath the standard package.