TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB 单 FET,MOSFET

结果 : 3,431
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemi
系列
-AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V25 V28 V30 V33 V36 V40 V50 V55 V60 V65 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)600mA(Tc)750mA(Tc)800mA(Tc)800mA(Tj)1A(Tc)1.4A(Tc)1.5A(Tc)1.6A(Tc)1.6A(Tj)1.7A(Tc)1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.5V,5V2.8V,10V4V,10V4V,5V4.3V,10V4.5V4.5V,10V4.5V,5V4.5V,7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.74 毫欧 @ 125A,10V0.9 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧@ 25A,10V1.1 毫欧 @ 90A,10V1.15 毫欧 @ 100A,10V1.15 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.2 毫欧 @ 80A,10V1.25 毫欧 @ 100A,10V1.25 毫欧 @ 60A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 110µA2V @ 125µA2V @ 130µA2V @ 150µA2V @ 16µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.76 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.3 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.1 nC @ 5 V6.4 nC @ 5 V6.9 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 4.5 V7.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V+10V,-20V±10V12V±12V±15V±16V±18V+20V,-10V+20V,-16V±20V+25V,-10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
116 pF @ 25 V124 pF @ 100 V140 pF @ 25 V170 pF @ 25 V177 pF @ 100 V180 pF @ 25 V200 pF @ 25 V210 pF @ 75 V220 pF @ 25 V225 pF @ 20 V226 pF @ 100 V230 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.04W(Ta),62.5W(Tc)1.2W(Ta),75W(Tc)1.25W(Ta),74.4W(Tc)1.35W(Ta),50W(Tc)1.5W(Ta),104W(Tc)1.5W(Ta),119W(Tc)1.5W(Ta),125W(Tc)1.5W(Ta),156W(Tc)1.5W(Ta),213W(Tc)1.56W(Ta),106W(Tc)1.56W(Ta),107W(Tc)1.56W(Ta),211W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
D2PAKD2PAK+D2PAK-3(TO-263)D2PAK(TO-263)H2PAK-2H2Pak-2LPTLLPTSPG-TO220-3-5PG-TO263-2PG-TO263-3PG-TO263-3-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,431结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 3,431
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,806
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
800 : ¥5.57148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)10V90 毫欧 @ 9A,10V4V @ 250µA37 nC @ 10 V±20V920 pF @ 25 V-3.8W(Ta),70W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Infineon Technologies
4,752
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
800 : ¥5.65265
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)55 V19A(Tc)10V100 毫欧 @ 10A,10V4V @ 250µA35 nC @ 10 V±20V620 pF @ 25 V-3.8W(Ta),68W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,704
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
800 : ¥6.32418
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V17A(Tc)4V,10V100 毫欧 @ 9A,10V2V @ 250µA34 nC @ 5 V±20V800 pF @ 25 V-3.8W(Ta),79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
15,359
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
800 : ¥6.64290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V33A(Tc)10V44 毫欧 @ 16A,10V4V @ 250µA71 nC @ 10 V±20V1960 pF @ 25 V-130W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
23,951
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.72110
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)75 V80A(Tc)10V9 毫欧 @ 46A,10V4V @ 100µA84 nC @ 10 V±20V3070 pF @ 50 V-140W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Infineon Technologies
10,902
现货
1 : ¥12.49000
剪切带(CT)
800 : ¥6.98819
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)55 V31A(Tc)10V60 毫欧 @ 16A,10V4V @ 250µA63 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 25 V-3.8W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Infineon Technologies
2,633
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.71966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V29A(Tc)10V40 毫欧 @ 16A,10V4V @ 250µA34 nC @ 10 V±20V700 pF @ 25 V-3.8W(Ta),68W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN4R3-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,440
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
800 : ¥6.76543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V100A(Tc)4.5V,10V4.1 毫欧 @ 15A,10V2.15V @ 1mA41.5 nC @ 10 V±20V2400 pF @ 15 V-103W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Infineon Technologies
2,504
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
800 : ¥6.78903
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V47A(Tc)4V,10V22 毫欧 @ 25A,10V2V @ 250µA48 nC @ 5 V±16V1700 pF @ 25 V-3.8W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
35,423
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
800 : ¥7.19611
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V18A(Tc)10V150 毫欧 @ 11A,10V4V @ 250µA67 nC @ 10 V±20V1160 pF @ 25 V-150W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PHB47NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Nexperia USA Inc.
16,432
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
800 : ¥8.08129
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V47A(Tc)10V28 毫欧 @ 25A,10V4V @ 1mA66 nC @ 10 V±20V3100 pF @ 25 V-166W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,299
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
800 : ¥8.54234
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V57A(Tc)10V23 毫欧 @ 28A,10V4V @ 250µA130 nC @ 10 V±20V3130 pF @ 25 V-200W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Infineon Technologies
17,963
现货
1 : ¥15.43000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V59A(Tc)10V18 毫欧 @ 35A,10V4V @ 250µA120 nC @ 10 V±20V2900 pF @ 25 V-160W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
3,295
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
800 : ¥8.76123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V23A(Tc)10V117 毫欧 @ 14A,10V4V @ 250µA110 nC @ 10 V±20V1450 pF @ 25 V-3.1W(Ta),110W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
42,865
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
800 : ¥8.79950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V36A(Tc)4V,10V44 毫欧 @ 18A,10V2V @ 250µA74 nC @ 5 V±16V1800 pF @ 25 V-3.8W(Ta),140W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Infineon Technologies
4,380
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.67755
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)120 V56A(Ta)10V14.4 毫欧 @ 56A,10V4V @ 61µA49 nC @ 10 V±20V3220 pF @ 60 V-107W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
onsemi
465
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
800 : ¥9.03213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V27A(Tc)10V70 毫欧 @ 13.5A,10V4V @ 250µA43 nC @ 10 V±25V1400 pF @ 25 V-3.75W(Ta),120W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
5,618
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
800 : ¥9.34541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V195A(Tc)6V,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V3.9V @ 150µA225 nC @ 10 V±20V7330 pF @ 25 V-230W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263ABTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
onsemi
771
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
800 : ¥9.66004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V28A(Tc)10V129 毫欧 @ 14A,10V5V @ 250µA50 nC @ 10 V±30V2250 pF @ 25 V-250W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
onsemi
162
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
800 : ¥9.64095
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10.9A(Ta),62A(Tc)6V,10V13.5 毫欧 @ 62A,10V4V @ 250µA29 nC @ 10 V±20V1350 pF @ 25 V-115W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,862
现货
1,000 : ¥8.28003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V12A(Tc)10V280 毫欧 @ 3.8A,10V4V @ 190µA18 nC @ 10 V±20V761 pF @ 400 V-53W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
5,476
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
800 : ¥10.14029
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V17A(Tc)4V,5V180 毫欧 @ 10A,5V2V @ 250µA66 nC @ 5 V±10V1800 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
4,082
现货
1 : ¥18.14000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V17A(Tc)4V,5V180 毫欧 @ 10A,5V2V @ 250µA66 nC @ 5 V±10V1800 pF @ 25 V-3.1W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
BUK9611-80E,118
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,870
现货
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
800 : ¥10.43900
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Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V75A(Tc)5V10 毫欧 @ 20A,10V2.1V @ 1mA48.8 nC @ 5 V±10V7149 pF @ 25 V-182W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
4,269
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
800 : ¥10.59991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)200 V11A(Tc)10V500 毫欧 @ 6.6A,10V4V @ 250µA44 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 25 V-3W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。