SIHG24N65E-GE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIHG24N65E-GE3 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | |
原厂标准交货期 | 28 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC | |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 145 毫欧 @ 12A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 122 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2740 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247AC | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥48.35000 | ¥48.35 |
10 | ¥40.58700 | ¥405.87 |
100 | ¥32.83410 | ¥3,283.41 |
500 | ¥29.18588 | ¥14,592.94 |
1,000 | ¥24.99040 | ¥24,990.40 |
2,000 | ¥23.53111 | ¥47,062.22 |
制造商标准包装