单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C7
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.6A（Tc）46A（Tc）47A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 24.9A，10V72 毫欧 @ 24A，10V180 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA4V @ 1.25mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V93 nC @ 10 V273 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1410 pF @ 400 V4340 pF @ 400 V5682 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
160W（Tc）227W（Tc）417W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO247TO-247ACTO-247AD
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Vishay Siliconix
486
现货
1 : ¥63.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
47A（Tc）
10V
72 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
273 nC @ 10 V
±30V
5682 pF @ 100 V
-
417W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
PJMH190N60E1_T0_00601
600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Panjit International Inc.
1,406
现货
1 : ¥28.41000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20.6A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 9.5A，10V
3.8V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1410 pF @ 400 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-4
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥100.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。