Name: TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100L60WVQ-ND
Price: 266.48 CNY
Availability: InStock

TK100L60W,VQ
DigiKey 零件编号	TK100L60WVQ-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK100L60W,VQ
描述	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
原厂标准交货期	52 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 600 V 100A（Tc） 797W（Tc） TO-3P（L）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK100L60W,VQ 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	DTMOSIV
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	18 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	360 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15000 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	797W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-3P（L）
封装/外壳	TO-3PL
基本产品编号	TK100L60