100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 612
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip Technology
系列
-AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7C3M™DeepGATE™, STripFET™ VIDTMOSIVG3R™HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q3 Class
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V40 V45 V55 V60 V68 V75 V80 V85 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V2.5V,8V3.3V,10V4V,10V4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V7V,10V7.5V,10V8V,10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.62 毫欧 @ 20A,10V0.8 毫欧 @ 20A,10V0.88 毫欧 @ 20A,10V0.89 毫欧 @ 25A,10V0.94 毫欧 @ 20A,10V0.99 毫欧 @ 25A,10V1 毫欧 @ 20A,10V1 毫欧 @ 30A,10V1 毫欧@ 25A,10V1.02 毫欧 @ 25A,10V1.07 毫欧 @ 30A,10V1.1 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
500mV @ 250µA(最小)950mV @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.1V @ 50µA1.6V @ 250µA1.7V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 100µA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.1 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V16 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V22 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V25.5 nC @ 10 V26 nC @ 10 V26.5 nC @ 4.5 V26.8 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V+10V,-8V±10V±12V+15V,-4V±15V+16V,-12V±16V+19V,-8V+20V,-16V±20V20V+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
495 pF @ 800 V1040 pF @ 12.5 V1350 pF @ 12.5 V1510 pF @ 20 V1600 pF @ 25 V1635 pF @ 12.5 V1650 pF @ 15 V1781 pF @ 12 V1781 pF @ 25 V1848 pF @ 15 V1850 pF @ 25 V1940 pF @ 30 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
830mW(Ta),104.2W(Tc)830mW(Ta),116W(Tc)960mW(Ta),170W(Tc)960mW(Ta),210W(Tc)1.2W(Ta),136W(Tc)1.3W1.5W(Ta),104W(Tc)1.5W(Ta),125W(Tc)1.5W(Ta),156W(Tc)1.6W(Ta)1.6W(Ta),136W(Tc)1.7W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-55°C ~ 225°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)8-DFN(5x6)8-HSOP8-PDFN(5x6)8-PPAK(5.1x5.71)8-PPAK(5.1x5.86)8-PQFN(5x6)8-QFN(5x6)8-SOIC-EP8-SOP Advance(5x5.75)8-SOP Advance(5x5)8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳
6-SMD,扁平引线8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VQFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1023,4-LFPAKSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
612结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 612
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,500
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.31603
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
36.6 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 12 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,834
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.87487
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
5V,10V
5.6 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 1mA
66.8 nC @ 10 V
±20V
5026 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IRLR6225TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Infineon Technologies
1,364
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.65907
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100A(Tc)
2.5V,4.5V
4 毫欧 @ 21A,4.5V
1.1V @ 50µA
72 nC @ 4.5 V
±12V
3770 pF @ 10 V
-
63W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y3R5-40E,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
20,217
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.79497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
49.4 nC @ 10 V
±20V
3583 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
2,576
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.83325
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
7V,10V
1.55 毫欧 @ 50A,10V
3V @ 50µA
55 nC @ 10 V
±20V
3470 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
17,230
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.83755
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
26,584
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.92605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 30A,4.5V
2.5V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
5435 pF @ 30 V
-
132W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,425
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.65717
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
0.62 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V,-16V
9530 pF @ 15 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
D2PAK SOT404
PSMN4R3-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,438
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
800 : ¥6.76543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4.1 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
41.5 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
103W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R2-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,958
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.55537
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.25 毫欧 @ 25A,10V
1.95V @ 1mA
78 nC @ 10 V
±20V
5093 pF @ 15 V
-
215W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
28,169
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.61363
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
3780 pF @ 20 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
PowerDI5060-8
DMTH6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
13,552
现货
72,500
工厂
1 : ¥13.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.24823
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
6V,10V
2 毫欧 @ 50A,10V
3V @ 250µA
130.8 nC @ 10 V
±20V
6555 pF @ 30 V
-
167W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8(K 类)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19531Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,232
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.28573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
6.4 毫欧 @ 16A,10V
3.3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR638ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,634
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.40154
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
0.88 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
165 nC @ 10 V
+20V,-16V
9100 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Infineon Technologies
11,402
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.52834
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 93µA
130 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R6-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
113,274
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.91074
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
63 nC @ 10 V
±20V
3776 pF @ 12 V
-
131W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R8-40YLC,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
61,001
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.07290
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 25A,10V
1.95V @ 1mA
96 nC @ 10 V
±20V
6680 pF @ 20 V
-
272W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN0R9-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,674
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.47675
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
100A(Tc)
4.5V,10V
0.99 毫欧 @ 25A,10V
1.95V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
6775 pF @ 12 V
-
272W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PG-TDSON-8-34
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Infineon Technologies
10,335
现货
1 : ¥15.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.86664
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.5 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 60µA
95 nC @ 10 V
±16V
5340 pF @ 25 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
8,488
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.90982
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.34mOhm @ 50A,10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y4R8-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
16,707
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.74021
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
5V
4.1 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 1mA
50 nC @ 5 V
±10V
7853 pF @ 25 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
StrongIRFET Series
IRFH7085TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Infineon Technologies
5,803
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
4,000 : ¥7.35211
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
6V,10V
3.2 毫欧 @ 75A,10V
3.7V @ 150µA
165 nC @ 10 V
±20V
6460 pF @ 25 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y4R8-60EX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,819
现货
1 : ¥16.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.74021
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
4.8 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
73.1 nC @ 10 V
±20V
5520 pF @ 25 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
8-Power TDFN
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
16,165
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.24977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
100A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 67µA
54 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,239
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.76566
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
220 nC @ 10 V
+20V,-16V
11700 pF @ 15 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。