IPP60R360P7XKSA1 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


IXYS
现货: 1
单价: ¥44.49000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 419
单价: ¥36.86000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 125
单价: ¥16.25000
规格书

IPP60R360P7XKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPP60R360P7XKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPP60R360P7XKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
原厂标准交货期
17 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
360 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
555 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
41W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥14.12000¥14.12
50¥11.36180¥568.09
100¥9.34880¥934.88
500¥7.91036¥3,955.18
1,000¥6.71172¥6,711.72
2,000¥6.37616¥12,752.32
5,000¥6.13645¥30,682.25
10,000¥5.93331¥59,333.10
Manufacturers Standard Package
Note: Due to DigiKey value-add services the packaging type may change when product is purchased at quantities beneath the standard package.