为栅极驱动器配套 SiC MOSFET

搭配 SiC MOSFET 的栅极驱动器选择指南

电动汽车充电、储能、不间断电源系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平推向数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，为逆变器和 BLDC 提供最多六个开关的占空比。根据功率水平和开关速度，系统设计人员寻求各种开关技术，包括硅、IGBT、SiC，以找出最适合其应用要求的方案。

在这些大功率应用中，虽然 IGBT 的热性能优于硅解决方案，但 onsemi 的 EliteSiC 可以同时实现更高的开关速度和大功率。onsemi 提供完整的 SiC MOSFET 产品组合，击穿电压范围 650 V 至 1700 V，RDSON 低至 12 mΩ。但是，每个 SiC MOSFET 都需要正确的栅极驱动器，以最大限度提高系统效率和降低总功率损耗。下面这张易用表格为每个 SiC MOSFET 搭配了正确的栅极驱动器。

EliteSiC MOSFET 栅极驱动器：5 kVRMS 电流隔离
1 通道（拉/灌） 2 通道（拉/灌/匹配）
V(BR)DSS RDSON（典型值） 封装 6.5 A / 6.5 A 4 A / 6 A 6.5 A / 6.5 A / 20 ns 4.5 A / 9 A / 5 ns
650 V 12 mΩ – 95m Ω 3-LD、4-LD、7-LD、TOLL、PQFN88 123NCD5709x
123NCV5709x
32 V 输出摆幅
(SOIC-8)		 123NCD5700x
123NCV5700x
25V 输出摆幅
(SOIC-16WB)		 NCD575xx
NCV575xx
32V 输出摆幅
(SOIC-16WB)		 1NCP5156x
1NCV5156x
30V 输出摆幅
(SOIC-16WB)
750 V 13.5 mΩ 4-LD
900 V 16 mΩ – 60 mΩ 3-LD、4-LD、7-LD --
1200 V 14 mΩ – 160 mΩ

3-LD、4-LD、7-LD

 --
1700 V 28 mΩ - 960 mΩ 4-LD、7-LD -- -- -- --

栅极驱动器：峰值拉电流/峰值灌电流/总传播延迟匹配

1 支持：外部负偏压关闭
2 支持：去饱和（过流）保护
3 支持：有源米勒钳位保护（钳位 VGS 防止在预期关闭期间意外打开。）
“V”支持汽车资格

EliteSiC 应用示例

  • 3 kW 电源
  • 7.2 kW 车载充电器
  • 650 V BLDC：5 kW – 12 kW

应用

  • 能源基础设施
  • 储能
  • 锂离子充电器（最长约 15 秒）
  • 机器人技术
  • 工业驱动器和泵
  • 电源

拓扑结构

  • PFC：图腾柱
  • LLC：半桥
  • SR：全桥

峰值效率

  • 115 VAC 下 94.2%
  • 230 VAC 下 96.5%

应用

  • 电动汽车充电
  • 车载充电器 (OBC) 1/2 级
  • 电源

拓扑结构

  • PFC：三相交错
  • LLC：全桥

峰值效率

  • 320 VOUT 下 95.7%
  • 400 VOUT 下 95%

应用

  • 压缩机
  • 泵
  • 机器人技术
  • 工业驱动器

其他资源

网络研讨会：将栅极驱动器与 EliteSiC 配对

每个碳化硅开关都需要一个栅极驱动器。2023 年行业技术日的这个网络研讨会提供了一个易于使用的矩阵，用于为您的碳化硅应用选择正确的栅极驱动器。

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