onsemi SiCFET（碳化硅） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
71A（Tc）81A（Tc）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
200 nC @ 20 V222 nC @ 20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4160 pF @ 800 V4230 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
428W（Tc）535W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK-7
NTBG028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
onsemi
132
现货
1 : ¥296.93000
剪切带（CT）
800 : ¥205.67504
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
71A（Tc）
20V
40 毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
222 nC @ 20 V
+25V，-15V
4160 pF @ 800 V
-
428W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247-4
NTH4L028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
onsemi
243
现货
4,500
工厂
1 : ¥314.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
81A（Tc）
20V
40 毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
200 nC @ 20 V
+25V，-15V
4230 pF @ 800 V
-
535W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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onsemi SiCFET（碳化硅） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。