增强模式 GaN FET

            增强模式 GaN FET
  
                    Nexperia GaN FET 具有增强模式配置，适用于低压 (100 V/150 V) 和高压 (650 V) 应用

Nexperia 的 e-mode GaN FET 图片 Nexperia 增强模式 GaN FET 是低功率 650 V 应用的理想选择，在电力系统中提供最佳的灵活性。得益于极低的 QC 和 QOSS 值，它们可提供卓越的开关性能，从而提高 650 V AC/DC 和 DC/AC 电源转换的效率，并显著节省 BLDC 和微型伺服电机驱动器或 LED 驱动器的空间和 BOM。Nexperia 的产品组合包括五个 R_DS(ON) 值在 80 mΩ 和 190 mΩ 之间的 650 V 额定增强模式 GaN FET，采用 DFN 5 mm x 6 mm 和 DFN 8 mm x 8 mm 封装。它们提高了高压、低功率 (<650 V) 数据通信/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中的功率转换效率。它们还可用于设计无刷直流电机和微型服务器驱动器，以实现更高扭矩和更大功率的精度。

特性

增强模式，常闭电源开关
超高频开关能力
无体二极管
低栅极电荷，低输出电荷
符合标准级应用规范
ESD 保护

符合 RoHS、无铅和 REACH 标准
高能效和高功率密度
平面网格阵列 (LGA) 封装 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm
低封装电感和低封装电阻

应用

高功率密度和高效功率转换
AC-DC 转换器（次级），图腾柱 PFC
48 V 系统中的高频 DC-DC 转换器
400 V 至 48 V LLC 转换器，次级（整流）侧
激光雷达（非汽车）
DC-DC 转换器

太阳能 PV 逆变器
D 类音频放大器、电视 PSU 和 LED 驱动器
数据通信和电信（交流到直流和直流到直流）转换器
快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和 USB Type-C® 充电器
电机驱动

e-mode GaN FETs

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
GAN080-650EBEZ	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (	1980 - 立即发货	$72.32	查看详情
GAN140-650FBEZ	650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE	2366 - 立即发货	$49.34	查看详情
GAN140-650EBEZ	650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE	2445 - 立即发货	$54.84	查看详情
GAN190-650EBEZ	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE	2234 - 立即发货	$39.08	查看详情
GAN190-650FBEZ	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE	1928 - 立即发货	$35.14	查看详情
GAN3R2-100CBEAZ	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE	811 - 立即发货	$41.05	查看详情
GAN7R0-150LBEZ	150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G	4057 - 立即发货	$25.86	查看详情