单 IGBT

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesIXYSRohm Semiconductor
系列
-TrenchStop®TrenchStop™XPT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
IGBT 类型
-沟槽型场截止沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A40 A60 A80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A60 A90 A100 A120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，15A1.75V @ 15V，20A1.85V @ 15V，30A2.1V @ 15V，15A2.1V @ 15V，40A3.8V @ 15V，16A
功率 - 最大值
250 W254 W267 W288 W310 W330 W555 W
开关能量
370µJ（开），530µJ（关）700µJ（关）740µJ（开），600µJ（关）750µJ（关）1.1mJ（关）2.1mJ（开），1.5mJ（关）3mJ（开），3.1mJ（关）
栅极电荷
41 nC56 nC90 nC104 nC165 nC170 nC235 nC
25°C 时 Td（开/关）值
11ns/140ns16ns/183ns30ns/70ns49ns/199ns-/260ns-/300ns-/330ns
测试条件
400V，15A，15 欧姆，15V600V，15A，10 欧姆，15V600V，15A，14.6 欧姆，15V600V，20A，10 欧姆，15V600V，30A，10 欧姆，15V600V，40A，10 欧姆，15V850V，16A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
19 ns157 ns198 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO252-3TO-247（IXYH）TO-247N
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
701
现货
1 : ¥27.34000
管件
管件
在售
-
1200 V
40 A
60 A
1.75V @ 15V，20A
288 W
750µJ（关）
标准
170 nC
-/260ns
600V，20A，10 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
XPT TO-247(IXYH) Series
IXYH16N170C
IGBT 1.7KV 40A TO247
IXYS
1,301
现货
1,170
工厂
1 : ¥94.24000
管件
管件
在售
-
1700 V
40 A
100 A
3.8V @ 15V，16A
310 W
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
标准
56 nC
11ns/140ns
850V，16A，10 欧姆，15V
19 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247（IXYH）
TO-247N
RGS80TSX2DHRC11
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247N
Rohm Semiconductor
359
现货
1 : ¥99.66000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
80 A
120 A
2.1V @ 15V，40A
555 W
3mJ（开），3.1mJ（关）
标准
104 nC
49ns/199ns
600V，40A，10 欧姆，15V
198 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247N
TO252-3
IKD15N60RATMA1
IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Infineon Technologies
19,351
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.15012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
沟槽型场截止
600 V
30 A
45 A
2.1V @ 15V，15A
250 W
370µJ（开），530µJ（关）
标准
90 nC
16ns/183ns
400V，15A，15 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO252-3
PG-TO247-3
IHW15N120R3FKSA1
IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Infineon Technologies
216
现货
1 : ¥26.35000
管件
管件
在售
沟道
1200 V
30 A
45 A
1.7V @ 15V，15A
254 W
700µJ（关）
标准
165 nC
-/300ns
600V，15A，14.6 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-1
TO-247N
RGS30TSX2DGC11
IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
225
现货
1 : ¥60.34000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
30 A
45 A
2.1V @ 15V，15A
267 W
740µJ（开），600µJ（关）
标准
41 nC
30ns/70ns
600V，15A，10 欧姆，15V
157 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247N
PG-TO247-3
IHW30N120R5XKSA1
IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥30.21000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
60 A
90 A
1.85V @ 15V，30A
330 W
1.1mJ（关）
标准
235 nC
-/330ns
600V，30A，10 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
显示
/ 7

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。