单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆@ 700mA，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 30µA3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 10 V4.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 400 V158 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
6W（Tc）6.2W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Infineon Technologies
8,543
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61067
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
3A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±16V
130 pF @ 400 V
-
6W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
PG-SOT223
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Infineon Technologies
13,783
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.75573
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
4A（Tc）
10V
1.4 欧姆@ 700mA，10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
6.2W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。