单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.6 毫欧 @ 50A，10V0.65 毫欧 @ 50A，10V0.92 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.1V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
81 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7540 pF @ 15 V10000 pF @ 15 V
供应商器件封装
8-DSOP Advance8-SOP Advance（5x5.75）8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
35,503
现货
1 : ¥15.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.85878
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
150A（Tc）
4.5V，10V
0.65 毫欧 @ 50A，10V
2.1V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
15,356
现货
1 : ¥23.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.28858
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
150A（Tc）
4.5V，10V
0.6 毫欧 @ 50A，10V
2.1V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
16,767
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.07986
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
150A（Tc）
4.5V，10V
0.92 毫欧 @ 50A，10V
2.1V @ 500µA
81 nC @ 10 V
±20V
7540 pF @ 15 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。