IGBT 模块

结果 : 8
系列
-EasyPIM™
IGBT 类型
-NPT沟槽型场截止
配置
三相反相器单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
39 A50 A54 A60 A65 A75 A105 A
功率 - 最大值
20 mW150 W175 W215 W225 W355 W385 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，30A2.15V @ 15V，75A2.2V @ 15V，75A2.25V @ 15V，25A2.25V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.45 nF @ 25 V1.65 nF @ 25 V2 nF @ 25 V4.3 nF @ 25 V5.3 nF @ 25 V
输入
三相桥式整流器标准
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FP75R12KE3BOSA1
FP75R12KE3BOSA1
IGBT MOD 1200V 105A 355W
Infineon Technologies
35
现货
1 : ¥1,381.63000
托盘
-
托盘
在售
NPT
单路
1200 V
105 A
355 W
2.2V @ 15V，75A
5 mA
5.3 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
模块
模块
310
现货
1 : ¥377.88000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
1200 V
65 A
225 W
2.25V @ 15V，35A
1 mA
2 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
2
现货
1 : ¥537.38000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
1200 V
54 A
215 W
2.25V @ 15V，35A
1 mA
2 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
24
现货
1 : ¥1,397.23000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
1200 V
75 A
385 W
2.15V @ 15V，75A
1 mA
4.3 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
MODULE FS
FS30R06W1E3BOMA1
IGBT MODULE 600V 60A 150W
Infineon Technologies
31
现货
1 : ¥284.37000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
600 V
60 A
150 W
2V @ 15V，30A
1 mA
1.65 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
0
现货
查看交期
18 : ¥496.29167
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
1200 V
50 A
20 mW
2.25V @ 15V，25A
1 mA
1.45 nF @ 25 V
三相桥式整流器
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
0
现货
查看交期
1 : ¥470.07000
托盘
-
托盘
在售
-
三相反相器
1200 V
39 A
175 W
2.25V @ 15V，25A
1 mA
1.45 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
0
现货
查看交期
1 : ¥538.78000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
1200 V
50 A
20 mW
2.25V @ 15V，25A
1 mA
1.45 nF @ 25 V
三相桥式整流器
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。