单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta），100A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）234A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 95µA3.3V @ 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
71 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5200 pF @ 30 V6500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），139W（Tc）3W（Ta），167W（Tc）167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8
库存选项
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8 FL
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
41,748
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.02215
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC016N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Infineon Technologies
14,317
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.02361
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
31A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 95µA
95 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
3W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8
BSC016N06NSSCATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
4,000 : ¥11.72919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
234A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 95µA
95 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。