FET、MOSFET 阵列

结果 : 28
制造商
IXYSMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
包装
托盘散装管件
产品状态
停产在售
配置
2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(相角)2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)4 N 沟道(全桥)4 N 沟道(全桥)+ 桥式整流器6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
600V900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A36A39A47A49A59A66A95A116A143A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 71.5A,10V21 毫欧 @ 88A,10V24 毫欧 @ 47.5A,10V42 毫欧 @ 33A,10V45 毫欧 @ 22.5A,10V45 毫欧 @ 24.5A,10V45 毫欧 @ 44A,10V60 毫欧 @ 52A,10V70 毫欧 @ 39A,10V83 毫欧 @ 18A,10V120 毫欧 @ 26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 3mA3.5V @ 6mA3.6V @ 6mA3.9V @ 2.7mA3.9V @ 3mA3.9V @ 4mA3.9V @ 5mA5V @ 3mA5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
150nC @ 10V190nC @ 10V255nC @ 10V259nC @ 10V270nC @ 10V300nC @ 10V510nC @ 10V540nC @ 10V580nC @ 10V1036nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
700pF @ 25V6800pF @ 100V7000pF @ 25V7200pF @ 25V7290pF @ 25V13000pF @ 100V13600pF @ 100V14400pF @ 25V14600pF @ 25V28000pF @ 25V
功率 - 最大值
250W416W462W625W833W-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装通孔
封装/外壳
SP1SP2SP3SP4SP6TO-264-3,TO-264AA模块
供应商器件封装
ISOPLUS264™SP1SP2SP3SP4SP6SP6-P模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
CoolMOS SERIES SP3
APTC60DSKM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
7
现货
1 : ¥1,118.03000
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
LKK47-06C5
MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
IXYS
0
现货
250
工厂
查看交期
250 : ¥279.98832
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
600V
47A
45 毫欧 @ 44A,10V
3.9V @ 3mA
190nC @ 10V
6800pF @ 100V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264-3,TO-264AA
ISOPLUS264™
MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
APTC60AM42F2G
MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
Microsemi Corporation
0
现货
100 : ¥336.36320
托盘
托盘
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(相角)
-
600V
66A
42 毫欧 @ 33A,10V
5V @ 6mA
510nC @ 10V
14600pF @ 25V
416W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP2
SP2
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
APTC60DDAM70T1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Microchip Technology
0
现货
查看交期
17 : ¥511.69353
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
600V
39A
70 毫欧 @ 39A,10V
3.9V @ 2.7mA
259nC @ 10V
7000pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
APTC90DDA12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Microsemi Corporation
0
现货
12 : ¥514.56833
托盘
托盘
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
900V
30A
120 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 3mA
270nC @ 10V
6800pF @ 100V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
APTC90DSK12T1G
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Microsemi Corporation
0
现货
12 : ¥514.56833
托盘
托盘
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
900V
30A
120 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 3mA
270nC @ 10V
6800pF @ 100V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
APTC60DDAM45T1G
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
现货
查看交期
14 : ¥630.72429
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
600V
49A
45 毫欧 @ 24.5A,10V
3.9V @ 3mA
150nC @ 10V
7200pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
APTC60VDAM45T1G
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
现货
查看交期
14 : ¥630.72429
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
600V
49A
45 毫欧 @ 24.5A,10V
3.9V @ 3mA
150nC @ 10V
7200pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
APTC60AM45BC1G
APTC60AM45B1G
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
现货
查看交期
12 : ¥761.67000
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
-
600V
49A
45 毫欧 @ 24.5A,10V
3.9V @ 3mA
150nC @ 10V
7200pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
APTC60AM45BC1G
APTC60AM45BC1G
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Microchip Technology
0
现货
查看交期
11 : ¥791.63455
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
-
600V
49A
45 毫欧 @ 24.5A,10V
3.9V @ 3mA
150nC @ 10V
7200pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
APTC60DDAM70CT1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Microsemi Corporation
0
现货
8 : ¥806.44500
散装
散装
停产
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
600V
39A
70 毫欧 @ 39A,10V
3.9V @ 2.7mA
259nC @ 10V
7000pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP1
SP1
APTC60HM70RT3G
APTC60HM70RT3G
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
12 : ¥853.36167
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)+ 桥式整流器
-
600V
39A
70 毫欧 @ 39A,10V
3.9V @ 2.7mA
259nC @ 10V
7000pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
SP3
SP3
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
APTC90H12T2G
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Microsemi Corporation
0
现货
8 : ¥915.04500
托盘
托盘
停产
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
900V
30A
120 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 3mA
270nC @ 10V
6800pF @ 100V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP2
SP2
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
APTC60HM70BT3G
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
8 : ¥1,004.49625
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
逻辑电平门
600V
39A
70 毫欧 @ 39A,10V
3.9V @ 2.7mA
259nC @ 10V
700pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
APTC60DHM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
7 : ¥1,087.65714
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)非对称型
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
APTC60DDAM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
9 : ¥1,118.03111
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双路降压斩波器)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
APTC60VDAM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
9 : ¥1,118.03111
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
APTC60BBM24T3G
APTC60BBM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
9 : ¥1,140.52444
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
SP3
SP3
APTM50HM75STG
APTC60HM70SCTG
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
7 : ¥1,463.56286
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
600V
39A
70 毫欧 @ 39A,10V
3.9V @ 2.7mA
259nC @ 10V
7000pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
APTC60HM45SCTG
MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,728.97000
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
600V
49A
45 毫欧 @ 22.5A,10V
3.9V @ 3mA
150nC @ 10V
7200pF @ 25V
250W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
APTC60HM24T3G
MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,741.20333
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP3
SP3
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
APTC60AM24SCTG
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,744.15833
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(相角)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP4
SP4
APTC60AM18SCG
APTC60AM18SCG
MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥2,717.87000
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 通道(半桥)
-
600V
143A
18 毫欧 @ 71.5A,10V
3.9V @ 4mA
1036nC @ 10V
28000pF @ 25V
833W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTC60TAM24TPG
APTC60TAM24TPG
MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥3,030.33750
托盘
托盘
在售
MOSFET(金属氧化物)
6 N-沟道(3 相桥)
-
600V
95A
24 毫欧 @ 47.5A,10V
3.9V @ 5mA
300nC @ 10V
14400pF @ 25V
462W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6-P
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
APTC60TAM21SCTPAG
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
Microchip Technology
0
现货
查看交期
3 : ¥4,377.33333
散装
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
6 N-沟道(3 相桥)
-
600V
116A
21 毫欧 @ 88A,10V
3.6V @ 6mA
580nC @ 10V
13000pF @ 100V
625W
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
SP6-P
显示
/ 28

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。