FET、MOSFET 阵列
结果 : 28
制造商
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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7 现货 | 1 : ¥1,118.03000 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双路降压斩波器) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP3 | SP3 | |||
0 现货 250 工厂 查看交期 | 250 : ¥279.98832 管件 | 管件 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 600V | 47A | 45 毫欧 @ 44A,10V | 3.9V @ 3mA | 190nC @ 10V | 6800pF @ 100V | - | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-264-3,TO-264AA | ISOPLUS264™ | |||
0 现货 | 100 : ¥336.36320 托盘 | 托盘 | 停产 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(相角) | - | 600V | 66A | 42 毫欧 @ 33A,10V | 5V @ 6mA | 510nC @ 10V | 14600pF @ 25V | 416W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP2 | SP2 | |||
0 现货 查看交期 | 17 : ¥511.69353 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双路降压斩波器) | - | 600V | 39A | 70 毫欧 @ 39A,10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 7000pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 | 12 : ¥514.56833 托盘 | 托盘 | 停产 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双路降压斩波器) | - | 900V | 30A | 120 毫欧 @ 26A,10V | 3.5V @ 3mA | 270nC @ 10V | 6800pF @ 100V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 | 12 : ¥514.56833 托盘 | 托盘 | 停产 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双路降压斩波器) | - | 900V | 30A | 120 毫欧 @ 26A,10V | 3.5V @ 3mA | 270nC @ 10V | 6800pF @ 100V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 查看交期 | 14 : ¥630.72429 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双路降压斩波器) | - | 600V | 49A | 45 毫欧 @ 24.5A,10V | 3.9V @ 3mA | 150nC @ 10V | 7200pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 查看交期 | 14 : ¥630.72429 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 600V | 49A | 45 毫欧 @ 24.5A,10V | 3.9V @ 3mA | 150nC @ 10V | 7200pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 查看交期 | 12 : ¥761.67000 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) | - | 600V | 49A | 45 毫欧 @ 24.5A,10V | 3.9V @ 3mA | 150nC @ 10V | 7200pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 查看交期 | 11 : ¥791.63455 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) | - | 600V | 49A | 45 毫欧 @ 24.5A,10V | 3.9V @ 3mA | 150nC @ 10V | 7200pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 | 8 : ¥806.44500 散装 | 散装 | 停产 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 600V | 39A | 70 毫欧 @ 39A,10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 7000pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP1 | SP1 | |||
0 现货 查看交期 | 12 : ¥853.36167 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥)+ 桥式整流器 | - | 600V | 39A | 70 毫欧 @ 39A,10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 7000pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | SP3 | SP3 | |||
0 现货 | 8 : ¥915.04500 托盘 | 托盘 | 停产 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥) | - | 900V | 30A | 120 毫欧 @ 26A,10V | 3.5V @ 3mA | 270nC @ 10V | 6800pF @ 100V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP2 | SP2 | |||
0 现货 查看交期 | 8 : ¥1,004.49625 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥) | 逻辑电平门 | 600V | 39A | 70 毫欧 @ 39A,10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 700pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP3 | SP3 | |||
0 现货 查看交期 | 7 : ¥1,087.65714 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双)非对称型 | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP3 | SP3 | |||
0 现货 查看交期 | 9 : ¥1,118.03111 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(双路降压斩波器) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP3 | SP3 | |||
0 现货 查看交期 | 9 : ¥1,118.03111 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP3 | SP3 | |||
0 现货 查看交期 | 9 : ¥1,140.52444 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | - | SP3 | SP3 | |||
0 现货 查看交期 | 7 : ¥1,463.56286 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥) | - | 600V | 39A | 70 毫欧 @ 39A,10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 7000pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP4 | SP4 | |||
0 现货 查看交期 | 6 : ¥1,728.97000 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥) | - | 600V | 49A | 45 毫欧 @ 22.5A,10V | 3.9V @ 3mA | 150nC @ 10V | 7200pF @ 25V | 250W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP4 | SP4 | |||
0 现货 查看交期 | 6 : ¥1,741.20333 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 4 N 沟道(全桥) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP3 | SP3 | |||
0 现货 查看交期 | 6 : ¥1,744.15833 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N 沟道(相角) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP4 | SP4 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥2,717.87000 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 N 通道(半桥) | - | 600V | 143A | 18 毫欧 @ 71.5A,10V | 3.9V @ 4mA | 1036nC @ 10V | 28000pF @ 25V | 833W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP6 | SP6 | |||
0 现货 查看交期 | 4 : ¥3,030.33750 托盘 | 托盘 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 6 N-沟道(3 相桥) | - | 600V | 95A | 24 毫欧 @ 47.5A,10V | 3.9V @ 5mA | 300nC @ 10V | 14400pF @ 25V | 462W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | SP6 | SP6-P | |||
0 现货 查看交期 | 3 : ¥4,377.33333 散装 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 6 N-沟道(3 相桥) | - | 600V | 116A | 21 毫欧 @ 88A,10V | 3.6V @ 6mA | 580nC @ 10V | 13000pF @ 100V | 625W | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | SP6-P |
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