TO-253-4,TO-253AA 单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Linear Integrated Systems, Inc.Microchip Technology
系列
-SST210SST211SST213SST214SST215SymFET™TinyFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
6 V10 V16 V20 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA50mA(Ta)1A(Ta)1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.7V,10V5V,25V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 100mA,4.5V450 毫欧 @ 100mA,10V50 欧姆 @ 1mA,10V250 欧姆 @ 100µA,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 1µA5V @ 10µA
Vgs(最大值)
-6.5V6V16V+25V,-15V+25V,-300mV+30V,-25V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3.5 pF @ 15 V100 pF @ 12 V600 pF @ 5.5 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)350mW568mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
供应商器件封装
SOT-143SOT-143-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 143
MIC94050YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Microchip Technology
8,883
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.77654
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
6 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
160 毫欧 @ 100mA,4.5V
1.2V @ 250µA
6V
600 pF @ 5.5 V
-
568mW(Ta)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94051YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT143
Microchip Technology
9,331
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.02287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
6 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
160 毫欧 @ 100mA,4.5V
1.2V @ 250µA
6V
600 pF @ 5.5 V
-
568mW(Ta)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
2,569
现货
1 : ¥36.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥18.30701
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
10 V
50mA(Ta)
5V,25V
50 欧姆 @ 1mA,10V
1.5V @ 1µA
+25V,-15V
-
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4,TO-253AA
SOT-143 4L
SST214 SOT-143 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
Linear Integrated Systems, Inc.
2,994
现货
1 : ¥39.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.07156
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
50mA(Ta)
5V,25V
50 欧姆 @ 1mA,10V
1.5V @ 1µA
±40V
-
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4,TO-253AA
8,426
现货
1 : ¥41.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.84353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50mA
20V
250 欧姆 @ 100µA,20V
5V @ 10µA
-6.5V
3.5 pF @ 15 V
-
350mW
-
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4,TO-253AA
4,422
现货
1 : ¥42.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥21.17439
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
50mA(Ta)
5V,25V
50 欧姆 @ 1mA,10V
1.5V @ 1µA
+30V,-25V
-
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4,TO-253AA
619
现货
1 : ¥42.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥21.50522
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50mA(Ta)
5V,25V
50 欧姆 @ 1mA,10V
1.5V @ 1µA
±40V
-
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94031YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
Microchip Technology
0
现货
3,000 : ¥3.94074
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
16 V
1A(Ta)
2.7V,10V
450 毫欧 @ 100mA,10V
1.4V @ 250µA
16V
100 pF @ 12 V
-
568mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94031BM4 TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
Microchip Technology
0
现货
3,000 : ¥4.41423
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
16 V
1A(Ta)
2.7V,10V
450 毫欧 @ 100mA,10V
1.4V @ 250µA
16V
100 pF @ 12 V
-
568mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94030BM4 TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
Microchip Technology
0
现货
3,000 : ¥4.41423
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
16 V
1A(Ta)
2.7V,10V
450 毫欧 @ 100mA,10V
1.4V @ 250µA
16V
100 pF @ 12 V
-
568mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94030YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
Microchip Technology
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
16 V
1A(Ta)
2.7V,10V
450 毫欧 @ 100mA,10V
1.4V @ 250µA
16V
100 pF @ 12 V
-
568mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
0
现货
查看交期
1 : ¥39.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.07156
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50mA(Ta)
5V,25V
50 欧姆 @ 1mA,10V
1.5V @ 1µA
+25V,-300mV
-
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94050BM4 TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Microchip Technology
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
6 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
160 毫欧 @ 100mA,4.5V
1.2V @ 250µA
6V
600 pF @ 5.5 V
-
568mW(Ta)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
SOT 143
MIC94051BM4 TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT143
Microchip Technology
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
6 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
160 毫欧 @ 100mA,4.5V
1.2V @ 250µA
6V
600 pF @ 5.5 V
-
568mW(Ta)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
显示
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TO-253-4,TO-253AA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。