TO-220-3 全封装，隔离接片 单 FET，MOSFET

结果 : 253
制造商
Diodes IncorporatedEVVOIXYSLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.NXP USA Inc.Panjit International Inc.STMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Ultra X2HiPerFET™, Ultra X3PolarPowerMESH™TrenchTrenchMOS™Ultra X2
包装
散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V55 V60 V100 V110 V200 V250 V300 V400 V450 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Tc）1.4A（Tc）1.6A（Ta）1.7A（Ta），15A（Tc）1.7A（Tc）1.9A（Tc）2A（Tc）2.1A（Tc）2.3A（Tc）2.5A（Tc）2.6A（Ta）2.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V4.5V，10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 115A，10V4 毫欧 @ 25A，10V4.6 毫欧 @ 15A，10V5 毫欧 @ 15A，10V5.6 毫欧 @ 15A，10V6.8 毫欧 @ 15A，10V7.8 毫欧 @ 25A，10V8.5 毫欧 @ 10A，10V12.8 毫欧 @ 45A，10V13.9 毫欧 @ 10A，10V16 毫欧 @ 10A，10V18 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 1.5mA4.5V @ 250µA4.5V @ 500µA4.6V @ 1mA5V @ 1.5mA5V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.9 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V8.4 nC @ 5 V8.8 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V11.8 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V±15V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 25 V180 pF @ 25 V260 pF @ 25 V270 pF @ 25 V300 pF @ 25 V306 pF @ 400 V310 pF @ 400 V320 pF @ 25 V340 pF @ 15 V344 pF @ 400 V350 pF @ 25 V360 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）8.35W（Ta）13W（Tc）17W（Tc）20W（Tc）22.5W（Tc）23W（Tc）23.6W（Tc）25W（Tc）25.5W（Tc）27W（Tc）27.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）-
供应商器件封装
ITO-220ITO-220ABITO-220AB-FITO-220AB（TH 类）ITO220AB-N（HE 类）TO-220TO-220 隔离的标片TO-220-3TO-220F
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
253结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 253
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB Full Pack
IRFI9Z14GPBF
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
Vishay Siliconix
1,888
现货
1 : ¥11.99000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.3A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 3.2A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI9530GPBF
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
Vishay Siliconix
3,673
现货
1 : ¥12.73000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.7A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 4.6A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFIZ24GPBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Vishay Siliconix
1,025
现货
1 : ¥14.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRLIZ34GPBF
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Vishay Siliconix
2,225
现货
1 : ¥14.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4V，5V
50 毫欧 @ 12A，5V
2V @ 250µA
35 nC @ 5 V
±10V
1600 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRLI530GPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Vishay Siliconix
2,042
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.7A（Tc）
4V，5V
160 毫欧 @ 5.8A，5V
2V @ 250µA
28 nC @ 5 V
±10V
930 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI740GPBF
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Vishay Siliconix
4,839
现货
1 : ¥16.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
5.4A（Tc）
10V
550 毫欧 @ 3.2A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Vishay Siliconix
5,295
现货
1 : ¥17.65000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI9520GPBF
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
Vishay Siliconix
135
现货
1 : ¥19.54000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.2A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 3.1A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Vishay Siliconix
929
现货
1 : ¥19.79000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9.8A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 5.9A，10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFIZ34GPBF
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Vishay Siliconix
1,038
现货
1 : ¥22.50000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRLIZ44GPBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Vishay Siliconix
823
现货
1 : ¥22.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4V，5V
28 毫欧 @ 18A，5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
3300 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI9Z34GPBF
MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Vishay Siliconix
376
现货
1 : ¥24.47000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
10V
140 毫欧 @ 7.2A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI620GPBF
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Vishay Siliconix
725
现货
1 : ¥9.69000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
4.1A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI830GPBF
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Vishay Siliconix
783
现货
1 : ¥9.93000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
3.1A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.9A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
610 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFIZ14GPBF
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Vishay Siliconix
3,814
现货
1 : ¥12.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRLIZ14GPBF
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Vishay Siliconix
966
现货
1 : ¥15.11000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4V，5V
200 毫欧 @ 4.8A，5V
2V @ 250µA
8.4 nC @ 5 V
±10V
400 pF @ 25 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI530GPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Vishay Siliconix
139
现货
1 : ¥15.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.7A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 5.8A，10V
4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFIBC30GPBF
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Vishay Siliconix
1,618
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.5A（Tc）
10V
2.2 欧姆 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI510GPBF
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3
Vishay Siliconix
955
现货
1 : ¥17.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.5A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 2.7A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
Vishay Siliconix
2,868
现货
1 : ¥17.16000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
4.1A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Vishay Siliconix
706
现货
1 : ¥17.40000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
6.6A（Tc）
10V
520 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1423 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI9640GPBF
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
Vishay Siliconix
2,023
现货
1 : ¥18.39000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
6.1A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 3.7A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI634GPBF
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3
Vishay Siliconix
854
现货
1 : ¥18.39000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
5.6A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI9620GPBF
MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
Vishay Siliconix
5,485
现货
1 : ¥19.54000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.8A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI720GPBF
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥19.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
2.6A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装，隔离接片
显示
/ 253

TO-220-3 全封装，隔离接片 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。