SOT-23-6 单 FET,MOSFET

结果 : 163
制造商
Comchip TechnologyDiodes IncorporatedGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.STMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationYAGEO XSEMI
系列
-Automotive, AEC-Q101DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®STripFET™STripFET™ IISTripFET™ VTrenchFET®XP2615
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V35 V40 V60 V100 V150 V190 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
197mA(Ta)230mA(Ta)1.3A(Ta)1.4A(Tc)1.5A(Ta)1.6A(Ta)2A(Ta)2A(Tc)2.2A(Tc)2.3A(Ta)2.4A(Ta)2.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V2.4V,10V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3.5V,10V4V,10V4.3V,10V4.5V4.5V,10V6V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧 @ 8A,10V17 毫欧 @ 5A,4.5V17.5 毫欧 @ 8.3A,4.5V19 毫欧 @ 8.2A,10V22 毫欧 @ 4.2A,10V22.5 毫欧 @ 3.5A,4.5V23 毫欧 @ 5A,4.5V23 毫欧 @ 8A,10V24 毫欧 @ 6A,10V25 毫欧 @ 3A,10V25 毫欧 @ 4A,10V26 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC @ 4.5 V3.45 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V3.65 nC @ 10 V3.9 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.27 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 2.5 V4.6 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±15V±16V±20V±25V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
72 pF @ 25 V73 pF @ 25 V170 pF @ 25 V172 pF @ 10 V190 pF @ 25 V210 pF @ 15 V210 pF @ 25 V283 pF @ 24 V300 pF @ 15 V303 pF @ 15 V310 pF @ 20 V313 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW625mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1W(Tj)1.1W(Ta)1.12W(Ta)1.2W(Ta)1.2W(Tc)1.25W1.25W(Ta)1.25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
6-CPH6-TSOPMicro6™(SOT23-6)Micro6™(TSOP-6)SOT-23-6SOT-23-6LSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
163结果
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/ 163
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-6
ZXMN3A01E6TA
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Diodes Incorporated
141,587
现货
222,000
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.79958
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.4A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 2.5A,10V
1V @ 250µA
3.9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT 26
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
Diodes Incorporated
18,194
现货
999,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66704
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.3A(Ta)
4.5V,10V
125 毫欧 @ 2.3A,10V
1V @ 250µA
17.7 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 30 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-6
IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Infineon Technologies
75,234
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.95318
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.2V @ 250µA
22 nC @ 5 V
±12V
1310 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(SOT23-6)
SOT-23-6
SOT 26
ZXMN10A08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Diodes Incorporated
22,218
现货
285,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77344
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.5A(Ta)
6V,10V
250 毫欧 @ 3.2A,10V
4V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 50 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-6
ZXMP3A17E6TA
MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Diodes Incorporated
113,227
现货
111,000
工厂
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.37857
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.2A,10V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT 26
ZXMP10A17E6TA
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Diodes Incorporated
30,385
现货
417,000
工厂
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.37739
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.3A(Ta)
6V,10V
350 毫欧 @ 1.4A,10V
4V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±20V
424 pF @ 50 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT 26
ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Diodes Incorporated
14,068
现货
303,000
工厂
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.37030
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
4.3V,10V
230 毫欧 @ 1.6A,10V
3V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
497 pF @ 50 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT 26
ZXMN6A08E6TA
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Diodes Incorporated
27,446
现货
741,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.60543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.8A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 4.8A,10V
1V @ 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
459 pF @ 40 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-6
ZVP4525E6TA
MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
Diodes Incorporated
17,372
现货
42,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.85359
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
197mA(Ta)
3.5V,10V
14 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
MFG_6-TSSOP,-SC-88,-SOT-363,SOT-23-6
TSM3443CX6 RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Taiwan Semiconductor Corporation
8,877
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.4V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
640 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT 26
DMG6402LDM-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Diodes Incorporated
12,527
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
404 pF @ 15 V
-
1.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT 26
DMP3056LDM-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Diodes Incorporated
134,798
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 250µA
21.1 nC @ 10 V
±20V
948 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT 26
DMP2066LDM-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Diodes Incorporated
5,260
现货
57,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.6A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-6
IRLTS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Infineon Technologies
51,516
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20349
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.9A(Ta)
2.5V,4.5V
32 毫欧 @ 6.9A,4.5V
1.1V @ 10µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
905 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
SOT-23-6
IRLTS6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Infineon Technologies
9,690
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20715
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.3A(Ta)
2.5V,4.5V
17.5 毫欧 @ 8.3A,4.5V
1.1V @ 10µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
1010 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6350-TL-W
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
onsemi
9,516
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21572
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
4V,10V
43 毫欧 @ 3A,10V
-
13 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-CPH
SOT-23-6
SOT-23-6
IRFTS9342TRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Infineon Technologies
23,953
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24875
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 5.8A,10V
2.4V @ 25µA
12 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
SOT-23-6
IRFTS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Infineon Technologies
14,679
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.2A(Ta)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 8.2A,10V
2.35V @ 25µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
560 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
SOT 26
DMN3033LDM-7
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Diodes Incorporated
8,838
现货
105,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34905
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 6.9A,10V
2.1V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
755 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-6
IRLMS1503TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Infineon Technologies
19,165
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51781
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 2.2A,10V
1V @ 250µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 25 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6
25,967
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.54108
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
1.4A(Tc)
6V,10V
480 毫欧 @ 1.1A,10V
3.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
332 pF @ 10 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
SOT-23-6
IRLMS6802TRPBF
MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Infineon Technologies
41,987
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.58754
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.6A(Ta)
2.5V,4.5V
50 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1.2V @ 250µA
16 nC @ 5 V
±12V
1079 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6
SOT-23-6
STT6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
STMicroelectronics
24,194
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.87875
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±20V
283 pF @ 24 V
-
1.6W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6341-TL-W
MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
onsemi
7,920
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89175
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4V,10V
59 毫欧 @ 3A,10V
-
10 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-CPH
SOT-23-6
SOT-23-6
STT4P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
STMicroelectronics
18,209
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
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SOT-23-6 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。