90A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
EPConsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-eGaN®PowerTrench®U-MOSVIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
24 V30 V40 V60 V80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 50A,5V1.5 毫欧 @ 37A,5V2.2 毫欧 @ 29A,5V2.2 毫欧 @ 31A,5V2.5 毫欧 @ 29A,5V3.2 毫欧 @ 25A,5V3.3 毫欧 @ 45A,10V4.3 毫欧 @ 45A,10V5.7 毫欧 @ 16A,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V6 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.5V @ 12mA2.5V @ 13mA2.5V @ 14mA2.5V @ 16mA2.5V @ 19mA2.5V @ 28mA2.5V @ 500µA3V @ 1mA3V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V16 nC @ 5 V19 nC @ 5 V29 nC @ 4.5 V33 nC @ 5 V64 nC @ 10 V81 nC @ 10 V83 nC @ 10 V172 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V+10V,-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 50 V1650 pF @ 40 V1780 pF @ 30 V1940 pF @ 40 V2100 pF @ 20 V2120 pF @ 20 V2500 pF @ 15 V4510 pF @ 20 V4523 pF @ 20 V5400 pF @ 10 V7700 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
60W(Tc)70W(Ta)85W(Tc)157W(Tc)180W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ATPAKD2PAKDPAK+TO-220TO-252AA模具
封装/外壳
ATPAK(2 引线 + 凸片)TO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,445
现货
1 : ¥12.60000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.67882
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V90A(Ta)4.5V,10V4.3 毫欧 @ 45A,10V2V @ 1mA172 nC @ 10 V+10V,-20V7700 pF @ 10 V-180W(Tc)175°C表面贴装型DPAK+TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
8,444
现货
1 : ¥48.86000
剪切带(CT)
1,000 : ¥27.71260
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)40 V90A(Ta)5V1.1 毫欧 @ 50A,5V2.5V @ 28mA33 nC @ 5 V+6V,-4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型模具模具
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
57,744
现货
1 : ¥53.20000
剪切带(CT)
500 : ¥32.10446
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)80 V90A(Ta)5V2.2 毫欧 @ 29A,5V2.5V @ 13mA19 nC @ 5 V+6V,-4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2024
GANFET NCH 40V 60A DIE
EPC
2,000
现货
1 : ¥66.26000
剪切带(CT)
500 : ¥41.75356
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道GaNFET(氮化镓)40 V90A(Ta)5V1.5 毫欧 @ 37A,5V2.5V @ 19mA-+6V,-4V2100 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
EPC
3,706
现货
1 : ¥66.83000
剪切带(CT)
500 : ¥42.12314
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道GaNFET(氮化镓)60 V90A(Ta)5V2.2 毫欧 @ 31A,5V2.5V @ 16mA16 nC @ 5 V+6V,-4V1780 pF @ 30 V---40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2022
GANFET N-CH 100V 90A DIE
EPC
4,467
现货
1 : ¥72.92000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.34723
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道GaNFET(氮化镓)100 V90A(Ta)5V3.2 毫欧 @ 25A,5V2.5V @ 12mA-+6V,-4V1500 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2021
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
6,846
现货
1 : ¥73.09000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.45804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道GaNFET(氮化镓)80 V90A(Ta)5V2.5 毫欧 @ 29A,5V2.5V @ 14mA15 nC @ 5 V+6V,-4V1650 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型模具模具
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TJ90S04M3L,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
4,103
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.77563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V90A(Ta)4.5V,10V4.3 毫欧 @ 45A,10V2V @ 1mA172 nC @ 10 V+10V,-20V7700 pF @ 10 V-180W(Tc)175°C表面贴装型DPAK+TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
713
现货
1 : ¥17.32000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.80839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V90A(Ta)4.5V,10V3.3 毫欧 @ 45A,10V2.5V @ 500µA81 nC @ 10 V±20V5400 pF @ 10 V-157W(Tc)175°C(TJ)表面贴装型DPAK+TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
9,629
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.55927
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V90A(Ta)4.5V,10V3.3 毫欧 @ 45A,10V2.5V @ 500µA81 nC @ 10 V±20V5400 pF @ 10 V-157W(Tc)175°C表面贴装型DPAK+TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
NTP90N02G
MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)24 V90A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V3V @ 250µA29 nC @ 4.5 V±20V2120 pF @ 20 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220TO-220-3
TO-220-3
NTP90N02
MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)24 V90A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V3V @ 250µA29 nC @ 4.5 V±20V2120 pF @ 20 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTB90N02T4
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)24 V90A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V3V @ 250µA29 nC @ 4.5 V±20V2120 pF @ 20 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTB90N02T4G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)24 V90A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V3V @ 250µA29 nC @ 4.5 V±20V2120 pF @ 20 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252AA
FDD6676AS
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V90A(Ta)4.5V,10V5.7 毫欧 @ 16A,10V3V @ 1mA64 nC @ 10 V±20V2500 pF @ 15 V-70W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D2PAK
NTB90N02
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)24 V90A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V3V @ 250µA29 nC @ 4.5 V±20V2120 pF @ 20 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK
NTB90N02G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)24 V90A(Ta)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 90A,10V3V @ 250µA29 nC @ 4.5 V±20V2120 pF @ 20 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型D2PAKTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
ATPAK
ATP208-TL-H
MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
onsemi
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V90A(Ta)4.5V,10V6 毫欧 @ 45A,10V-83 nC @ 10 V±20V4510 pF @ 20 V-60W(Tc)150°C(TJ)表面贴装型ATPAKATPAK(2 引线 + 凸片)
显示
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90A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。