88A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 49
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassMDmesh™ VOptiMOS™OptiMOS™ 3OptimWatt™PolarPOWER MOS 7®PowerTrench®TrenchMV™U-MOSIX-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V85 V100 V120 V150 V200 V300 V500 V650 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 44A,10V2.9 毫欧 @ 44A,10V3.4 毫欧 @ 44A,10V3.5 毫欧 @ 88A,10V3.9 毫欧 @ 44A,10V4.2 毫欧 @ 44A,4.5V4.5 毫欧 @ 20A,10V6.1 毫欧 @ 16A,10V6.5 毫欧 @ 20A,10V8.5 毫欧 @ 44A,10V9.4 毫欧 @ 21A,10V10 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 300µA2.5V @ 250µA2.7V @ 4.5mA(典型值)4V @ 100µA4V @ 150µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 4mA4.2V @ 260µA5V @ 2.5mA5V @ 250µA5V @ 4mA5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.6 nC @ 10 V19 nC @ 10 V34.9 nC @ 10 V50 nC @ 10 V52 nC @ 10 V69 nC @ 10 V76 nC @ 10 V87 nC @ 10 V99 nC @ 10 V140 nC @ 10 V146 nC @ 10 V170 nC @ 10 V180 nC @ 10 V204 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V+23V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
650 pF @ 100 V861 pF @ 25 V1133 pF @ 15 V2162 pF @ 30 V3100 pF @ 60 V3140 pF @ 25 V3825 pF @ 15 V4000 pF @ 25 V4150 pF @ 25 V5150 pF @ 50 V5280 pF @ 1000 V6300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),200W(Tc)1.8W(Ta),288W(Tc)3.1W(Ta),89.3W(Tc)46.3W(Tc)68W(Tj)78W(Tc)90W(Tc)140W(Tc)200W(Tc)230W(Tc)250W(Tc)278W(Tc)300W(Tc)400W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)8-SOP Advance(5x5)D2PAKDFN5060ISOTOPISOTOP®PG-TO220-3PG-TO262-3PG-TO263-3PLUS247™-3SOT-227SOT-227B
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNISOTOPSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-3 变式TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-264-3,TO-264AATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
49结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 49
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
8,811
现货
1 : ¥54.43000
剪切带(CT)
1,000 : ¥40.28122
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
7,879
现货
1 : ¥64.53000
剪切带(CT)
1,000 : ¥36.61714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Infineon Technologies
741
现货
1 : ¥64.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Infineon Technologies
3,083
现货
1 : ¥73.06000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.46279
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 88A,10V
4.2V @ 260µA
76 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB4410PBF
MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Infineon Technologies
7,696
现货
1 : ¥23.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
88A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP110N20NAAKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Infineon Technologies
2,348
现货
1 : ¥54.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Littelfuse Inc.
126
现货
1 : ¥94.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-264
IXFK88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA
Littelfuse Inc.
296
现货
1 : ¥124.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
2,946
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.84317
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
88A(Tc)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 44A,4.5V
2.1V @ 300µA
50 nC @ 10 V
±20V
3825 pF @ 15 V
-
90W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
TO-220F
FDPF035N06B-F154
MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
onsemi
985
现货
1 : ¥24.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
88A(Tc)
-
3.5 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 250µA
99 nC @ 10 V
±20V
8030 pF @ 30 V
-
46.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4410PBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
88A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Infineon Technologies
1,752
现货
1 : ¥31.36000
剪切带(CT)
3,200 : ¥15.25671
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
88A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
150-SOT-227-ISOTOP
MSC017SMA120J
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Microchip Technology
10
现货
1 : ¥544.44000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
88A(Tc)
20V
22 毫欧 @ 40A,20V
2.7V @ 4.5mA(典型值)
249 nC @ 20 V
+23V,-10V
5280 pF @ 1000 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
-
SOT-227
-
SOT-227-4, miniBLOC
APT50M38JLL
MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥630.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
88A(Tc)
10V
38 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 5mA
270 nC @ 10 V
±30V
12000 pF @ 25 V
-
694W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥98.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
810
工厂
查看交期
1 : ¥117.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN102N30P
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥230.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 4mA
224 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
ISOTOP
STE88N65M5
MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥316.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
88A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 42A,10V
5V @ 250µA
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
-
494W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP
ISOTOP
0
现货
查看交期
1 : ¥5.53000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.98188
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
88A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
15.6 nC @ 10 V
±20V
861 pF @ 25 V
-
68W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥7.91000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.85113
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
88A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
15.6 nC @ 10 V
±20V
861 pF @ 25 V
-
68W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
8
现货
1 : ¥10.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
88A(Tc)
10V
9.4 毫欧 @ 21A,10V
4V @ 1mA
52 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 60 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-268
IXTT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥107.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-252 D-Pak Top
DMT6006LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
17,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥2.85813
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
88A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
34.9 nC @ 10 V
±20V
2162 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),89.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.16146
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
88A(Tc)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 16A,10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1133 pF @ 15 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO-264
IXTK88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥76.92267
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
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通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
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88A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。