82A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

PSMN8R2-80YS,115 MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	17,246 现货	1 : ¥12.07000 剪切带（CT） 1,500 : ¥5.29235 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	82A（Tc）	10V	8.5 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 1mA	55 nC @ 10 V	±20V	3640 pF @ 40 V	-	130W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
IRF2807PBF MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB Infineon Technologies	2,634 现货	1 : ¥15.02000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF2807STRLPBF MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	1,482 现货	1 : ¥15.52000 剪切带（CT） 800 : ¥8.66825 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSC061N08NS5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 82A TDSON Infineon Technologies	11,631 现货	1 : ¥16.01000 剪切带（CT） 5,000 : ¥6.96110 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	82A（Tc）	6V，10V	6.1 毫欧 @ 41A，10V	3.8V @ 41µA	33 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 40 V	-	2.5W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TDSON-8-7	8-PowerTDFN
SQS164ELNW-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Vishay Siliconix	2,477 现货	1 : ¥7.14000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.95394 卷带（TR）	TrenchFET® Gen IV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	82A（Tc）	4.5V，10V	7.4 毫欧 @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装，可润湿侧翼	PowerPAK® 1212-8SLW	PowerPAK® 1212-8SLW
TPH3R704PC,LQ MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	5,155 现货	1 : ¥7.47000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.09681 卷带（TR）	U-MOSIX-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	82A（Tc）	4.5V，10V	3.7mOhm @ 41A，10V	2.4V @ 300µA	47 nC @ 10 V	±20V	3615 pF @ 20 V	-	830mW（Ta），90W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
IXTT82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO268 Littelfuse Inc.	480 现货	1 : ¥86.94000 管件	Polar	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	82A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 nC @ 10 V	±20V	4800 pF @ 25 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-268AA	TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
N0604N-S19-AY MOSFET N-CH 60V 82A TO220 Renesas Electronics Corporation	3,963 现货	1 : ¥22.00000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	82A（Tc）	10V	6.5 毫欧 @ 41A，10V	-	75 nC @ 10 V	±20V	4150 pF @ 25 V	-	1.5W（Ta），156W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220 隔离的标片	TO-220-3 隔离片
SQS180ELNW-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Vishay Siliconix	8,188 现货	1 : ¥8.70000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.61039 卷带（TR）	TrenchFET® GenIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	82A（Tc）	4.5V，10V	7.1 毫欧 @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	68 nC @ 10 V	±20V	3689 pF @ 25 V	-	119W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装，可润湿侧翼	PowerPAK® 1212-8SLW	PowerPAK® 1212-8SLW
GT065P06T P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH Goford Semiconductor	150 现货	1 : ¥13.79000 管件	SGT	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	82A（Tc）	4.5V，10V	7.5 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	62 nC @ 10 V	±20V	5335 pF @ 30 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
IXTK82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO264 Littelfuse Inc.	31 现货	1 : ¥84.06000 管件	Polar	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	82A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 nC @ 10 V	±20V	4800 pF @ 25 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-264（IXTK）	TO-264-3，TO-264AA
TK3R1A04PL,S4X MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	93 现货	1 : ¥9.69000 管件	U-MOSIX-H	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	82A（Tc）	4.5V，10V	3.8 毫欧 @ 30A，4.5V	2.4V @ 500µA	63.4 nC @ 10 V	±20V	4670 pF @ 20 V	-	36W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
IXFB82N60P MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 Littelfuse Inc.	80 现货	1 : ¥248.74000 管件	HiPerFET™, Polar	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	82A（Tc）	10V	75 毫欧 @ 41A，10V	5V @ 8mA	240 nC @ 10 V	±30V	23000 pF @ 25 V	-	1250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PLUS264™	TO-264-3，TO-264AA
IXFB82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 Littelfuse Inc.	21 现货	1 : ¥241.27000 管件	HiPerFET™, Q3 Class	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	82A（Tc）	10V	75 毫欧 @ 41A，10V	6.5V @ 8mA	275 nC @ 10 V	±30V	13500 pF @ 25 V	-	1560W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PLUS264™	TO-264-3，TO-264AA
IXTQ82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO3P Littelfuse Inc.	0 现货查看交期	1 : ¥74.38000 管件	Polar	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	82A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 nC @ 10 V	±20V	4800 pF @ 25 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3
IXFN100N50Q3 MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B IXYS	3 现货	1 : ¥475.32000 管件	HiPerFET™, Q3 Class	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	82A（Tc）	10V	49 毫欧 @ 50A，10V	6.5V @ 8mA	255 nC @ 10 V	±30V	13800 pF @ 25 V	-	960W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227B	SOT-227-4，miniBLOC
IRF2807STRL MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥16.58289 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NP82N055PUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 82A TO263 Renesas Electronics Corporation	0 现货	在售	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	82A（Tc）	10V	5.2 毫欧 @ 41A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 25 V	-	1.8W（Ta），143W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF2807S MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥21.76460 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STL70N10F3 MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 STMicroelectronics	0 现货	1 : ¥22.49000 剪切带（CT） 3,000 : ¥10.14541 卷带（TR）	STripFET™ III	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	82A（Tc）	10V	8.4 毫欧 @ 8A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	3210 pF @ 25 V	-	136W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFlat™（5x6）	8-PowerVDFN
2SK3943-ZP-E1-AY MOSFET N-CH 40V 82A TO263 Renesas Electronics Corporation	0 现货	在售	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	82A（Tc）	5.5V，10V	3.5 毫欧 @ 41A，10V	-	93 nC @ 10 V	±20V	5800 pF @ 10 V	-	1.5W（Ta），104W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF2807L MOSFET N-CH 75V 82A TO262 Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥26.81500 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF2807SPBF MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF2807STRRPBF MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	82A（Tc）	10V	13 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPD70N04S3-07 MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	OptiMOS™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	82A（Tc）	10V	6 毫欧 @ 70A，10V	4V @ 50µA	40 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3-11	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63