81A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

UJ4C075018K3S SICFET N-CH 750V 81A TO247-3 Qorvo	5,766 现货	1 : ¥148.18000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	81A（Tc）	-	23 毫欧 @ 20A，12V	6V @ 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1422 pF @ 100 V	-	385W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IRFP054NPBF MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC Infineon Technologies	800 现货	1 : ¥23.73000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	81A（Tc）	10V	12 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	170W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
UJ4C075018K4S SICFET N-CH 750V 81A TO247-4 Qorvo	500 现货	1 : ¥151.87000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	81A（Tc）	-	23 毫欧 @ 20A，12V	6V @ 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1422 pF @ 100 V	-	385W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-4	TO-247-4
NTH4L028N170M1 SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER onsemi	243 现货 4,500 工厂	1 : ¥314.58000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	81A（Tc）	20V	40 毫欧 @ 60A，20V	4.3V @ 20mA	200 nC @ 20 V	+25V，-15V	4230 pF @ 800 V	-	535W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4018KRC15 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,789 现货	1 : ¥337.57000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	81A（Tc）	18V	23.4 毫欧 @ 42A，18V	4.8V @ 22.2mA	170 nC @ 18 V	+21V，-4V	4532 pF @ 800 V	-	312W	175°C（TJ）	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
IRFP054N MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC Infineon Technologies	0 现货	150 : ¥122.51413 袋	HEXFET®	袋	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	81A（Tc）	10V	12 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	170W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRLR8256PBF MOSFET N-CH 25V 81A DPAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	81A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1470 pF @ 13 V	-	63W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRLR8256TRPBF MOSFET N-CH 25V 81A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	81A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1470 pF @ 13 V	-	63W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRLU8256PBF MOSFET N-CH 25V 81A IPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	81A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1470 pF @ 13 V	-	63W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
TSM85N10CZ C0G MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220 Taiwan Semiconductor Corporation	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	81A（Tc）	10V	10 毫欧 @ 40A，10V	4V @ 250µA	154 nC @ 10 V	±20V	3900 pF @ 30 V	-	210W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3