8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 单 FET，MOSFET

结果 : 1,699
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V12 V14 V15 V16 V16.5 V20 V25 V28 V30 V36 V38 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
86mA（Tj）200mA（Ta）250mA（Ta）250mA（Tc）260mA（Tj）270mA（Ta）300mA（Ta）300mA（Tc）500mA（Ta）500mA（Tc）630mA（Tc）700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，10V1.8V，4.5V1.95V，4.5V2V，5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.7V，10V2.7V，4.5V2.8V，10V2.8V，4.5V4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 20A，4.5V2 毫欧 @ 15A，10V2.4 毫欧 @ 15A，10V2.4 毫欧 @ 18A，10V2.45 毫欧 @ 27A，4.5V2.5 毫欧 @ 20A，10V2.6 毫欧 @ 15A，10V2.7 毫欧 @ 15A，4.5V2.7 毫欧 @ 20A，10V2.7 毫欧 @ 25A，10V2.7 毫欧 @ 25A，4.5V2.75 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 250µA（最小）450mV @ 250µA（最小）600mV @ 1mA（典型值）600mV @ 250µA（最小）600mV @ 500µA（最小）700mV @ 1mA（典型值）700mV @ 250µA700mV @ 250µA（最小）800mV @ 250µA800mV @ 250µA（最小）800mV @ 850µA850mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 5 V3.2 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 5 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.2 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 10 V4.3 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+2V，-15V±8V±9V±10V±12V+16V，-20V16V±16V±18V+20V，-12V+20V，-16V+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
45 pF @ 25 V65 pF @ 25 V94 pF @ 25 V150 pF @ 25 V156 pF @ 25 V182 pF @ 10 V185 pF @ 25 V205 pF @ 15 V208 pF @ 50 V210 pF @ 10 V225 pF @ 25 V235 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）680mW（Ta）730mW（Ta）740mW（Ta）750mW（Ta）770mW（Ta）780mW（Ta）790mW（Ta）791mW（Ta）800mW（Ta）810mW（Ta）820mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOP8-SOP-JPG-DSO-8PG-DSO-8-6PG-DSO-8-902
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,699结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 1,699
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
31,572
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.03809
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.6A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
29,818
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34529
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
26,558
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.58988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
190,561
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68773
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
45,476
现货
322,500
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.68771
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
onsemi
13,423
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.89045
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF9393TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
11,099
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.91881
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.2A（Ta）
10V，20V
13.3 毫欧 @ 9.2A，20V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±25V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMG4407SSS-13
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Diodes Incorporated
7,211
现货
2,500
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.76600
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.9A（Ta）
6V，10V
11 毫欧 @ 12A，20V
3V @ 250µA
20.5 nC @ 10 V
±25V
2246 pF @ 15 V
-
1.45W（Ta）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
11,167
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.09368
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5.3A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
528 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
20,563
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.13148
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8.8A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
19,946
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12677
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
6V，20V
11 毫欧 @ 12A，20V
3V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF8714TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
31,538
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.17638
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 14A，10V
2.35V @ 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
31,224
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.18582
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF8736TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Infineon Technologies
15,107
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.22718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 18A，10V
2.35V @ 50µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2315 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Vishay Siliconix
25,169
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.24490
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.4A（Tc）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 9.1A，10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Vishay Siliconix
41,704
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29218
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Tc）
4.5V，10V
32 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1006 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Vishay Siliconix
2,281
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.34534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.3A（Tc）
4.5V，10V
6.2 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
167 nC @ 10 V
±25V
6630 pF @ 15 V
-
6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
24,138
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.42332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.6A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 4.6A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
onsemi
1,836
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.43039
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
2525 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS8880
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
onsemi
20,166
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.49656
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11.6A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 11.6A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
371,934
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52848
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 6.2A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMP4015SSS-13
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
11,025
现货
230,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.53439
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.1A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.45W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
18,145
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.59938
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16.1A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10.2A，10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），6.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
Vishay Siliconix
46,667
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.63244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9.9A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
14.2 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMP6023LSS-13
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Diodes Incorporated
13,831
现货
370,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.60528
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.6A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 1,699

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。