8-PowerWDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 493
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiotec SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™ 7PerFET™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
15 V20 V25 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V220 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A(Ta),1.8A(Tc)1A(Ta),7A(Tc)2A(Ta),13A(Tc)2A(Ta),8.4A(Tc)2.2A(Ta),9.5A(Tc)2.4A(Ta)2.4A(Ta),15A(Tc)2.7A(Ta),9A(Tc)2.8A(Ta),14A(Tc)2.8A(Ta),9.4A(Tc)3A(Tc)3.2A(Ta),13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V4.5V,10V4.5V,11.5V4.5V,7V6V,10V6.5V,10V7V,10V8V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.45 毫欧 @ 30A,7V0.58 毫欧 @ 20A,10V1 毫欧 @ 38A,10V1.1 毫欧 @ 60A,10V1.1 毫欧 @ 75A,10V1.2 毫欧 @ 20A,10V1.23 毫欧 @ 35A,10V1.24 毫欧 @ 50A,10V1.25 毫欧 @ 20A,10V1.28 毫欧 @ 37A,10V1.3 毫欧 @ 30A,10V1.35 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.65V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 120µA2V @ 15µA2V @ 20µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V5.9 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±7V±8V+12V,-5V±12V+16V,-12V±16V+20V,-16V+20V,-25V±20V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210 pF @ 75 V220 pF @ 40 V250 pF @ 25 V255 pF @ 30 V258 pF @ 40 V270 pF @ 25 V305 pF @ 50 V310 pF @ 50 V325 pF @ 25 V327 pF @ 25 V333 pF @ 30 V345 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
660mW(Ta),32.9W(Tc)660mW(Ta),38.5W(Tc)660mW(Ta),46.3W(Tc)690mW(Ta),20.2W(Tc)780mW(Ta),21.5W(Tc)790mW(Ta),20.2W(Tc)790mW(Ta),23.6W(Tc)800mW(Ta),48W(Tc)810mW(Ta),20.8W(Tc)810mW(Ta),22.3W(Tc)810mW(Ta),31W(Tc)820mW(Ta),25.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN-EP(3.3x3.3)8-DFN(5x6)8-HWSON(3.3x3.3)8-MLP,MicroFET(3x1.9)8-MLP(3.3x3.3)8-MLP(5x6),Power568-PDFN(3.15x3.1)8-PDFN(3.1x3.1)8-PDFN(SPR-PAK )(3.3x3.3)8-PPAK(3.1x3.1)8-PPAK(3x3)8-PQFN(3.3x3.3)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
493结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 493
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
19,419
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.10899
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
78A(Tc)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 19A,10V
2.5V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±20V
2557 pF @ 15 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(3.1x3.1)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.58261
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
45,180
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.66420
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
64A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 14A,10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(3.1x3.1)
8-PowerWDFN
8-DFN-EP
AON7423
MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
86,637
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.12391
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
28A(Ta),50A(Tc)
1.5V,4.5V
5 毫欧 @ 20A,4.5V
900mV @ 250µA
100 nC @ 4.5 V
±8V
5626 pF @ 10 V
-
6.2W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5C454NLTAG
MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
onsemi
8,312
现货
1,500
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.99141
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
20A(Ta),85A(Tc)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-DFN-EP
AON7318
MOSFET N-CH 30V 36.5A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,997
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.93038
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
36.5A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
1.95 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 15 V
-
4.1W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
onsemi
8,552
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.48438
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.7A(Ta)
4.5V,10V
52 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC86116LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
onsemi
5,700
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.42951
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.3A(Ta),7.5A(Tc)
4.5V,10V
103 毫欧 @ 3.3A,10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
310 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC8015L
MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
onsemi
3,000
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.47592
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7A(Ta),18A(Tc)
4.5V,10V
26 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
945 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),24W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC4435BZ
FDMC4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
onsemi
29,524
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.57554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Ta),18A(Tc)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 8.5A,10V
3V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±25V
2045 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
13,282
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.57126
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6A(Ta)
4.5V,10V
52 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),21W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
onsemi
11,137
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.89923
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
onsemi
5,747
现货
3,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.15390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2.8A(Ta),9.4A(Tc)
6V,10V
134 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 75 V
-
2.3W(Ta),26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
onsemi
22,576
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.17541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
2A(Ta),8.4A(Tc)
6V,10V
307 毫欧 @ 2A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
885 pF @ 75 V
-
2.3W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-DFN-EP
AON7254
MOSFET N-CH 150V 5.5A/17A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
37,543
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.28974
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5.5A(Ta),17A(Tc)
4.5V,10V
54 毫欧 @ 5A,10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 75 V
-
4.1W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC6679AZ
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
onsemi
4,276
现货
1 : ¥11.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.63833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.5A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 11.5A,10V
3V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3970 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-DFN-EP
AONR66922
MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,004
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.69720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
15A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 50 V
-
4.1W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
7,312
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20539
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Ta),18A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-PowerWDFN
FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
onsemi
33,140
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.36950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Ta),16A(Tc)
6V,10V
56 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
402 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-DFN-EP
AON7280
MOSFET N-CH 80V 20A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
14,674
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.61399
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
20A(Ta),50A(Tc)
6V,10V
8.5 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1871 pF @ 40 V
-
6.3W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
6,984
现货
1 : ¥14.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.45047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Ta),18A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 6.5A,10V
2.2V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
onsemi
2,201
现货
1 : ¥14.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.43835
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.4A(Ta),15A(Tc)
6V,10V
67毫欧 @ 4.4A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
1335 pF @ 50 V
-
2.3W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
Power33
FDMC8360LET40
MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
onsemi
27,040
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.28421
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
27A(Ta),141A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 27A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 20 V
-
2.8W(Ta),75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
8-WDFN
FDMC86184
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
onsemi
8,682
现货
1 : ¥16.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.57977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
6V,10V
8.5 毫欧 @ 21A,10V
4V @ 110µA
20 nC @ 6 V
±20V
2090 pF @ 50 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
Power33
FDMC8360L
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
onsemi
2,636
现货
1 : ¥16.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.61616
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
27A(Ta),80A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 27A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5795 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
显示
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8-PowerWDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。