7A（Ta），15A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 7A，10V33 毫欧 @ 8.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.9 nC @ 10 V19 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
410 pF @ 15 V834 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）2W（Ta），13W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）8-SO
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMP2040USS-13
MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Diodes Incorporated
16,160
现货
1,640,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.07188
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7A（Ta），15A（Tc）
2.5V，4.5V
33 毫欧 @ 8.9A，4.5V
1.5V @ 250µA
19 nC @ 8 V
±12V
834 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-HSMT
RQ3E070BNTB1
NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07
Rohm Semiconductor
2,952
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.02206
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7A（Ta），15A（Tc）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 1mA
8.9 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 15 V
-
2W（Ta），13W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
显示
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7A（Ta），15A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。