70A 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Micro Commercial CoToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 35A，10V7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V75 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2122 pF @ 30 V4970 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
85W170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C
供应商器件封装
8-DSOP AdvanceDFN5060
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
15,892
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.70326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
70A
6V，10V
4.1 毫欧 @ 35A，10V
3.5V @ 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
4970 pF @ 10 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
70A
10V
7 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2122 pF @ 30 V
-
85W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
显示
/ 2

70A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。