630mA（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

DMG1012T-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 Diodes Incorporated	372,197 现货	1 : ¥2.54000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.43427 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	400 毫欧 @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
DMG1012TQ-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 Diodes Incorporated	969,666 现货	1 : ¥2.05000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.28339 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	400 毫欧 @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
DMN2004K-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Diodes Incorporated	23,458 现货	1 : ¥3.12000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.68419 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	550 毫欧 @ 540mA，4.5V	1V @ 250µA	-	±8V	150 pF @ 16 V	-	350mW（Ta）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI1012CR-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC75A Vishay Siliconix	85,523 现货	1 : ¥3.69000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.81628 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.5V，4.5V	396 毫欧 @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	2 nC @ 8 V	±8V	43 pF @ 10 V	-	240mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SC-75A	SC-75，SOT-416
IRFD224PBF MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP Vishay Siliconix	2,250 现货	1 : ¥11.74000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	630mA（Ta）	10V	1.1 欧姆 @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	4-HVMDIP	4-DIP（0.300"，7.62mm）
DMG1012T-13 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R Diodes Incorporated	18,539 现货 5,350,000 工厂	1 : ¥2.54000 剪切带（CT） 10,000 : ¥0.32561 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	400 毫欧 @ 600mA，4.5V	1V @ 250µA	0.74 nC @ 4.5 V	±6V	60.67 pF @ 16 V	-	280mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
DMP21D1UT-13 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Diodes Incorporated	0 现货查看交期	10,000 : ¥0.34533 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	710 毫欧 @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±8V	33 pF @ 10 V	-	260mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
DMP21D1UTQ-13 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Diodes Incorporated	0 现货查看交期	10,000 : ¥0.45504 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	710 毫欧 @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±8V	33 pF @ 10 V	-	260mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
DMP21D1UT-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Diodes Incorporated	0 现货查看交期	3,000 : ¥0.46722 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	710 毫欧 @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±8V	33 pF @ 10 V	-	260mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
DMP21D1UTQ-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Diodes Incorporated	0 现货 195,000 工厂查看交期	3,000 : ¥0.56880 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	630mA（Ta）	1.8V，4.5V	710 毫欧 @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±8V	33 pF @ 10 V	-	260mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	SOT-523	SOT-523
NVTJD4401NT1G MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88 onsemi	0 现货	6,000 : ¥0.80842 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	-	-	-	630mA（Ta）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	汽车级	AEC-Q101	-	-	-
IRFD224 MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP Vishay Siliconix	0 现货	在售	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	630mA（Ta）	10V	1.1 欧姆 @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	4-HVMDIP	4-DIP（0.300"，7.62mm）