6-WDFN 裸露焊盘 单 FET，MOSFET

结果 : 116
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-Automotive, AEC-Q101NexFET™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIX-HU-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVIII-HµCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V12 V16 V20 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）2A（Ta）2.2A（Ta）2.3A（Ta）2.4A（Ta）2.5A（Tj）2.6A（Ta）2.7A（Ta）3A（Ta）3.2A（Ta）3.3A（Ta）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，8V2.5V，10V2.5V，4.5V2.5V，8V3V，8V4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 5A，10V8毫欧 @ 5A，8V8.9 毫欧 @ 4A，10V9 毫欧 @ 9A，4.5V9.1 毫欧 @ 4A，8V9.3 毫欧 @ 5A，4.5V11 毫欧 @ 9.5A，4.5V11 毫欧 @ 9.7A，4.5V11.5 毫欧 @ 10A，10V11.6 毫欧 @ 4A，10V12 毫欧 @ 4A，4.5V12 毫欧 @ 5A， 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
720mV @ 250µA800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V3 nC @ 10 V3.1 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V+10V，-8V±10V+12V，-8V±12V+20V，-12V+20V，-25V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
163 pF @ 50 V180 pF @ 15 V210 pF @ 75 V270 pF @ 10 V271 pF @ 10 V273 pF @ 10 V280 pF @ 10 V280 pF @ 15 V305 pF @ 15 V310 pF @ 15 V340 pF @ 15 V363 pF @ 75 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
700mW700mW（Ta）710mW（Ta）750mW（Ta）1W（Ta）1.25W（Ta）1.3W（Tc）1.5W（Ta）1.5W（Tc）1.7W（Ta）1.7W（Tc）1.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TA）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
6-DFN（2x2）6-MicroFET（2x2）6-SON（2x2）6-UDFNB（2x2）6-WDFN（2x2）6-WSON（2x2）6-µDFN（2x2）DFN2020-6GDFN2020-6JDFN2020-6JADFN2020B-6DFNWB2x2-6L-JMicroFET 3x3mm
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
116结果
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/ 116
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
27,878
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
41,975
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4V，10V
20 毫欧 @ 4A，10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V，-25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
21,193
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta）
4.5V，10V
11.6 毫欧 @ 4A，10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
CSD-6-SON Pkg
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
9,265
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30860
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Tc）
3V，8V
30 毫欧 @ 4A，8V
1.8V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-VDFN_506AN
NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
onsemi
6,053
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
70 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±8V
427 pF @ 15 V
肖特基二极管（隔离式）
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA908PZ
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
onsemi
31,940
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.63126
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Ta）
1.8V，4.5V
12.5 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±8V
3957 pF @ 6 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA530PZ
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
onsemi
10,304
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.92453
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.8A（Ta）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 6.8A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1070 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA507PZ
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
onsemi
2,680
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.63302
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.8A（Ta）
1.8V，4.5V
24 毫欧 @ 7.8A，5V
1.5V @ 250µA
42 nC @ 5 V
±8V
2015 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
onsemi
22,524
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.65338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1A（Ta）
6V，10V
1.2 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±25V
210 pF @ 75 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA8878
MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
onsemi
13,218
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.41557
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta），10A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
47,963
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
8.9 毫欧 @ 4A，10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TA）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
18,748
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4V，10V
36 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
17,264
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22297
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
12A
1.8V，4.5V
15 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 4 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN2020-6JA
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
CSD15571Q2
MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Texas Instruments
5,632
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
22A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 5A，10V
1.9V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
419 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-SON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
26,624
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99467
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10A（Ta）
1.8V，8V
16.2 毫欧 @ 4A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
2,846
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01985
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
1.5V，4.5V
15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
29.9 nC @ 4.5 V
±8V
2600 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
42,748
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03243
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
14A（Ta）
-
9.1 毫欧 @ 4A，8V
1V @ 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
2,599
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.30534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Ta）
1.2V，4.5V
12 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
37.6 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
CSD17571Q2
MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Texas Instruments
21,341
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
2V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
468 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-SON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON
CSD17318Q2
MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Texas Instruments
10,714
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08051
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Tc）
2.5V，8V
15.1 毫欧 @ 8A，8V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
-
16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON
CSD19538Q2
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Texas Instruments
30,521
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46759
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.4A（Ta）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），20.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON
CSD13202Q2
MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Texas Instruments
10,474
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.55318
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
22A（Ta）
2.5V，4.5V
9.3 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
±8V
997 pF @ 6 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
44,568
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Ta）
1.8V，4.5V
23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA291P
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
onsemi
5,293
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.16574
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.6A（Ta）
1.8V，4.5V
42 毫欧 @ 6.6A，4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±8V
1000 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN Exposed Pad
FDMA420NZ
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
onsemi
10,775
现货
9,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.40797
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.7A（Ta）
2.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
935 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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6-WDFN 裸露焊盘 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。