6-PowerWDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIPowerTrench®STripFET™STripFET™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta)4A(Tc)4.4A(Ta),11A(Tc)6A(Tj)7A(Ta)7A(Tc)7.2A(Ta),25A(Tc)7.9A(Ta)8A(Tc)9.5A(Ta)10A(Ta),35A(Tc)10.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8mOhm @ 10A,4.5V4.1 毫欧 @ 10A,10V4.2 毫欧 @ 10A,10V4.38mOhm @ 10A,10V4,9毫欧 @ 10A,4,5V5 毫欧 @ 10A,10V6.1 毫欧 @ 10A,4.5V9 毫欧 @ 10A,10V9mOhm @ 10A,4.5V11 毫欧 @ 8A,10V11.3 毫欧 @ 10A,10V13 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 34µA2V @ 6µA2V @ 77µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V7.6 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V8 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V13.6 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.7 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
160 pF @ 25 V283 pF @ 24 V408 pF @ 25 V440 pF @ 25 V450 pF @ 25 V510 pF @ 10 V550 pF @ 16 V550 pF @ 25 V600 pF @ 15 V639 pF @ 25 V851 pF @ 15 V912 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
860mW(Ta)2.4W(Ta)2.4W(Ta),15W(Tc)2.4W(Ta),27W(Tc)2.4W(Ta),28W(Tc)2.4W(Tc)2.5W(Ta),45W(Tc)2.5W(Ta),46W(Tc)2.9W(Ta),46W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-PQFN(2x2)6-WDFNW(2.05x2.05)PowerFlat™(2x2)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
STL4P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,634
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
PowerFlat
STL7N6F7
MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,188
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.14803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
STL6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
STMicroelectronics
2,376
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.34298
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA(最小)
3.6 nC @ 4.5 V
±20V
283 pF @ 24 V
-
2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS7D2P02P8ZTAG
MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
onsemi
24,507
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.82946
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.9A(Ta)
2.5V,4.5V
9mOhm @ 10A,4.5V
1.5V @ 250µA
26.7 nC @ 4.5 V
±8V
2790 pF @ 10 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS5D0N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
onsemi
15,577
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.39209
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.2A(Ta)
4.5V,10V
4.38mOhm @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1255 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
STL3N10F7
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,114
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.25672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
408 pF @ 25 V
-
2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS17D0P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
onsemi
2,252
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.52096
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4.5V,10V
11.3 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±25V
1600 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
T6 40V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS011N04CLTAG
T6 40V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
3,000
现货
3,000 : ¥2.24205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
11A(Ta),37A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 20µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
T6 40V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS6D0N04CLTAG
T6 40V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
3,000
现货
6,000
工厂
3,000 : ¥2.65955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
15A(Ta),68A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 34µA
20 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS5D0N03CLTAG
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
3,000
现货
12,000
工厂
3,000 : ¥2.65955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta),77A(Tc)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS011N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
3,000
现货
3,000
工厂
3,000 : ¥2.68979
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta),48A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 34µA
13.6 nC @ 10 V
±20V
912 pF @ 25 V
-
2.9W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
STL6N2VH5
MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
STMicroelectronics
2,974
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.19529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tj)
2.5V,4.5V
30 毫欧 @ 3A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
6 nC @ 4.5 V
±8V
550 pF @ 16 V
-
2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS4D9N03HTAG
MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.07391
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
4.5V
6.1 毫欧 @ 10A,4.5V
2.1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
1020 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS4D7N03HTAG
MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
11.6A(Ta)
4.5V,10V
4.1 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
851 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS3D9N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10.3A(Ta)
1.8V,4.5V
4,9毫欧 @ 10A,4,5V
1.1V @ 250µA
14.7 nC @ 4.5 V
±12V
1565 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS3D0N02P8ZTAG
MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
onsemi
269
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.82946
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12.1A(Ta)
1.8V,4.5V
3.8mOhm @ 10A,4.5V
1.2V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
2165 pF @ 10 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS070N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.79320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.4A(Ta),11A(Tc)
4.5V,10V
62 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 6µA
18 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),15W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS013N03CLTAG
T6 30V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.14242
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta),27W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWS022N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
onsemi
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.24205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.2A(Ta),25A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 77µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
6-WDFNW(2.05x2.05)
6-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
STL8P2UH7
MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
6,000 : ¥1.68316
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8A(Tc)
1.5V,4.5V
22.5 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±8V
2390 pF @ 16 V
-
2.4W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
STL4P2UH7
MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
6,000 : ¥1.20724
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Tc)
1.8V,4.5V
100 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±8V
510 pF @ 10 V
-
2.4W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
MicroFET
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 11A,10V
2.6V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±25V
2160 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-PowerWDFN
6-UFDFN Exposed Pad
FDMA008P20LZ
MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12A(Ta)
1.5V,4.5V
13 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.4V @ 250µA
39 nC @ 4.5 V
±8V
4383 pF @ 10 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
显示
/ 23

6-PowerWDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。