6.8A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 38
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedEPCGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DTMOSIVeGaN®HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V80 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3.3V,10V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 9A,10V10 毫欧 @ 9A,10V12.5 毫欧 @ 8A,4.5V14 毫欧 @ 8.1A,4.5V18 毫欧 @ 6.8A,4.5V20 毫欧 @ 6.8A,4.5V21mOhm @ 6.8A, 4.5V21毫欧 @ 4.5A,4.5V24 毫欧 @ 6.2A,4.5V25 毫欧 @ 6.5A,4.5V25 毫欧 @ 6A,5V25 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)850mV @ 450µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 2mA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4 nC @ 5 V6.5 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.1 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V9.1 nC @ 10 V9.2 nC @ 4.5 V11.05 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V±8V±10V±12V±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210 pF @ 40 V343 pF @ 15 V362 pF @ 20 V490 pF @ 300 V500 pF @ 8 V639 pF @ 30 V646 pF @ 10 V647 pF @ 10 V650 pF @ 15 V885 pF @ 10 V888 pF @ 10 V1060 pF @ 25 V1070 pF @ 15 V1172 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
510mW(Ta),6.94W(Tc)630mW(Ta)660mW(Ta)700mW(Ta)780mW(Ta)800mW860mW(Ta),9.62W(Tc)930mW(Ta)1.05W(Ta)1.2W(Ta)1.25W1.25W(Ta)1.9W(Ta)2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-UDFN(2x2)8-MLP,MicroFET(3x1.9)8-SO8-SOIC8-TSSOPDPAKSOT-23SOT-23-3SOT-23-6TO-220SISTO-236ABTO-252-3TO-252(DPAK)
封装/外壳
6-PowerUDFN6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
38结果
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/ 38
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2020-6 Type E
DMP3028LFDE-7
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
98,504
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23767
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
6-WDFN Exposed Pad
FDMA530PZ
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
onsemi
12,810
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.92453
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 6.8A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1070 pF @ 15 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
43,823
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.84463
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET(氮化镓)
80 V
6.8A(Ta)
5V
25 毫欧 @ 6A,5V
2.5V @ 2mA
2.4 nC @ 5 V
+6V,-4V
210 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
U-DFN2020-6 Type E
DMP3028LFDE-13
MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
444,228
现货
110,000
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
10,000 : ¥1.03848
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
SOT 23
SI2312B-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
2,530
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77857
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
2.5V,4.5V
21毫欧 @ 4.5A,4.5V
900mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±10V
500 pF @ 8 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV16XNR
MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
33,352
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86264
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
20 毫欧 @ 6.8A,4.5V
900mV @ 250µA
20.2 nC @ 4.5 V
±12V
1240 pF @ 10 V
-
510mW(Ta),6.94W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2024UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2,990
现货
1,458,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96153
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±10V
647 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2024U-7
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
2,415
现货
45,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86674
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±10V
647 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252-2
ZXMP6A18KTC
MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
Diodes Incorporated
6,677
现货
160,000
工厂
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.80280
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
55 毫欧 @ 3.5A,10V
1V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 30 V
-
2.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-6
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,635
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88757
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 6.8A,10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
343 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
1,408
现货
1 : ¥12.46000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.61754
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
6.8A(Ta)
10V
800 毫欧 @ 3.4A,10V
3.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
DMN2024U-13
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
10,000
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.75054
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±10V
647 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
7,082
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37563
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
18 毫欧 @ 6.8A,4.5V
1V @ 250µA
11.05 nC @ 4.5 V
±10V
888 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8 SOIC
NTMS4816NR2G
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 9A,10V
3V @ 250µA
18.3 nC @ 10 V
±20V
1060 pF @ 25 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-TSSOP
NTQS6463R2
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 6.8A,4.5V
900mV @ 250µA
50 nC @ 5 V
±12V
-
-
930mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
TO-220SIS
TK7A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
查看交期
1 : ¥12.77000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
6.8A(Ta)
10V
780 毫欧 @ 3.4A,10V
3.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
TSOT-26
DMN2029UVT-13
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Diodes Incorporated
0
现货
20,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.76451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±10V
646 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
DMN2024UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.82943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
900mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±10V
647 pF @ 10 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP3028LFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.85630
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1860 pF @ 15 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
TSOT-26
DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
Diodes Incorporated
0
现货
72,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
7.1 nC @ 4.5 V
±10V
646 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
U-DFN2020-6 Type F
DMT4031LFDF-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.91351
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
26 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±16V
362 pF @ 20 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type E
DMP3028LFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.99267
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1860 pF @ 15 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
U-DFN2020-6 Type F
DMT6030LFDF-13
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.63238
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
25.5mOhm @ 6.5A,10V
2.5V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
639 pF @ 30 V
-
860mW(Ta),9.62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMT6030LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
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3,000 : ¥1.86092
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.8A(Ta)
4.5V,10V
25.5mOhm @ 6.5A,10V
2.5V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
639 pF @ 30 V
-
860mW(Ta),9.62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
GSFC0601
GSFC2312
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Good-Ark Semiconductor
0
现货
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1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
2.5V,4.5V
21mOhm @ 6.8A, 4.5V
1V @ 250µA
12.8 nC @ 4.5 V
±10V
885 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 38

6.8A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。