51A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.NXP USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V750 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 15A,10V10.7 毫欧 @ 15A,10V34 毫欧 @ 29A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.15V @ 1mA2.2V @ 1mA4.8V @ 15.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.3 nC @ 10 V14.8 nC @ 10 V94 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
±20V+21V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
655 pF @ 15 V726 pF @ 15 V2320 pF @ 500 V
功率耗散(最大值)
34W(Tc)49W(Tc)150W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8TO-263-7L
封装/外壳
SC-100,SOT-669TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN7R5-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
21,675
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.65365
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
51A(Tj)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 1mA
11.3 nC @ 10 V
±20V
655 pF @ 15 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
SCT4026DW7HRTL
SCT4026DW7TL
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥158.19000
剪切带(CT)
1,000 : ¥100.20797
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
51A(Tj)
18V
34 毫欧 @ 29A,18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V,-4V
2320 pF @ 500 V
-
150W
175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SC-100 SOT-669
PSMN011-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
51A(Tj)
4.5V,10V
10.7 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
14.8 nC @ 10 V
±20V
726 pF @ 15 V
-
49W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
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51A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。