5.8A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 47
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Taiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageUMW
系列
-CMSDTMOSIVFETKY™HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®UltraFET™UMWXP3P050A
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
16 V20 V25 V30 V40 V50 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3V,10V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 5.8A,4.5V24 毫欧 @ 5.8A,10V24 毫欧 @ 5.8A,4.5V24 毫欧 @ 8A,10V25 毫欧 @ 5.8A,10V25 毫欧 @ 7A,10V26 毫欧 @ 5.6A,10V26.5 毫欧 @ 5.8A,10V27 毫欧 @ 1A,4.5V27 毫欧 @ 5.8A,4.5V28 毫欧 @ 5.8A,10V30 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 350µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.45V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.35V @ 10µA2.4V @ 250µA2.4V @ 25µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.2 nC @ 10 V5.4 nC @ 10 V6.1 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 5 V6.7 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V9.5 nC @ 4.5 V10.4 nC @ 4.5 V10.7 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
255 pF @ 15 V268 pF @ 5 V373 pF @ 15 V386 pF @ 15 V390 pF @ 300 V400.96 pF @ 15 V424 pF @ 5 V430 pF @ 10 V498 pF @ 15 V510 pF @ 25 V513 pF @ 10 V560 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
510mW(Ta)700mW(Ta)720mW(Ta)750mW(Ta)1W(Tj)1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta)1.47W(Ta)1.5W(Ta)1.6W(Ta)1.7W(Ta)1.8W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-Micro Foot™(2.4x2)6-TSOP8-SO8-SOICDFN2020-6GDPAKIPAKSOT-23SOT-23-3SOT-23-6LSOT-23(TO-236AB)SuperSOT™-6SuperSOT™-8TO-220SIS
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式6-MICRO FOOT®CSP6-WDFN 裸露焊盘8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
47结果
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/ 47
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3404A
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
499,594
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52171
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
31,984
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85128
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 5.8A,10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
31,997
现货
5,166,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59847
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
3V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC608PZ
MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
onsemi
16,707
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.67315
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Ta)
2.5V,4.5V
30 毫欧 @ 5.8A,4.5V
1.5V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1330 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8 SO
DMP3037LSS-13
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Diodes Incorporated
6,756
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.16436
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
931 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
230,049
现货
684,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77923
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
2.5V,10V
26.5 毫欧 @ 5.8A,10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3042L-13
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
17,045
现货
1,310,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.67476
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
2.5V,10V
26.5 毫欧 @ 5.8A,10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
IRFTS9342TRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Infineon Technologies
23,953
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24875
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 5.8A,10V
2.4V @ 25µA
12 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
SOT-23-3
DMN3051L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
14,735
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 5.8A,10V
2.2V @ 250µA
-
±20V
424 pF @ 5 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
3,000
现货
3,000 : ¥0.81625
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
3V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
720mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8 SO
DMP3037LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Diodes Incorporated
2,160
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.48234
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 6A,10V
2.4V @ 250µA
17.3 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2,008
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.43687
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
5.8A(Ta)
10V
1.05 欧姆 @ 2.9A,10V
3.5V @ 180µA
11 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TLC4502QDG4
MMSF4N01HDR2
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
onsemi
105,281
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Ta)
2.7V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1.1V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±8V
595 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
GSFKW0202
GSF3404B
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Good-Ark Semiconductor
4,130
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41958
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 250µA
5.2 nC @ 10 V
±20V
255 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BAS40-05
GSF3404
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.80A, 30V
Good-Ark Semiconductor
5,660
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
5.2 nC @ 10 V
±20V
255 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AO3404A
AO3404A
30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2
UMW
2,174
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 5.8A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AO3400A
AO3400A
30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
UMW
2,924
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68626
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
2.5V,10V
28 毫欧 @ 5.8A,10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
1050 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
11,655
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77479
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Ta)
1.8V,4.5V
27 毫欧 @ 5.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
513 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
PJA3416-AU_R1_000A1
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,687
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71303
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.8A(Ta)
1.8V,4.5V
27 毫欧 @ 5.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
513 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
IRF7421D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Infineon Technologies
1,391
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 4.1A,10V
1V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
肖特基二极管(隔离式)
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS5838NLR2G
MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
onsemi
0
现货
22,538
市场
1,665 : ¥1.30916
散装
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 20 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS5692Z
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
8,231
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 5.8A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
XP3P050AM
XP3P050AM
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
YAGEO XSEMI
994
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.26869
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
10.7 nC @ 4.5 V
±20V
960 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC
75
现货
1 : ¥10.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
5.8A(Ta)
10V
1.05 欧姆 @ 2.9A,10V
3.5V @ 180µA
11 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK
SOT 23
SI3400K-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
0
现货
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1 : ¥2.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.34153
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.8A(Ta)
2.5V,4.5V
40 毫欧 @ 5A,4.5V
1.4V @ 250µA
6.1 nC @ 4.5 V
±12V
576 pF @ 15 V
-
1W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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5.8A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。