4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 232
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
系列
-DeepGATE™, STripFET™ H6eGaN®HEXFET®MDmesh™NexFET™PJWPowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIVU-MOSVIU-MOSVII-HUMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V28 V30 V40 V45 V60 V65 V80 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.5V,4V1.5V,8V1.8V,10V1.8V,4.5V1.8V,4V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V4V,10V4.5V,10V5V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 6A,4.5V22 毫欧 @ 4A,4.5V26 毫欧 @ 2A,4.5V29 毫欧 @ 4A,4.5V29 毫欧 @ 6.4A,4.5V30 毫欧 @ 4A,4.5V31 毫欧 @ 4A,4.5V33 毫欧 @ 4A,4.5V34 毫欧 @ 1A,4.5V35 毫欧 @ 4A,10V35 毫欧 @ 4A,4.5V36 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 1mA1.3V @ 250µA1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V1.34 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.3 nC @ 5 V3.6 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-8V-8V, 0V-6V+6V,-4V+6V,-8V±8V+10V,-20V±10V+12V,-5V+12V,-8V±12V±16V+20V,-25V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 50 V143 pF @ 10 V177 pF @ 100 V180 pF @ 10 V190 pF @ 30 V194 pF @ 240 V200 pF @ 10 V220 pF @ 25 V228 pF @ 50 V235 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)400mW(Ta),12.5W(Tc)480mW(Ta),7W(Tc)500mW(Ta)500mW(Ta),8.33W(Tc)510mW(Ta)510mW(Ta), 7W(Tc)510mW(Ta),4.15W(Tc)550mW(Ta)600mW(Ta)610mW(Ta),8.3W(Tc)620mW(Ta),77W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
3-CPH4-WLCSP(0.78x0.78)6-CMFPAK6-CPH6-DFN(1.6x1.6)6-DFN(2x2)6-MCPH6-TSOP6-TSOP-F6-UDFN(2x2)8-DFN(5x6)8-HWSON(3.3x3.3)
封装/外壳
3-PowerVDFN3-PowerXFDFN3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-SMD,扁平引线3-XFDFN4-XFBGA,WLCSP6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWDFN6-PowerWFDFN6-SMD,扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
232结果
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/ 232
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
107,358
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71835
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
80,767
现货
102,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
60 毫欧 @ 4A,10V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
464.3 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
838,282
现货
1,710,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64175
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
52 毫欧 @ 4A,10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
149,817
现货
1 : ¥3.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62270
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
4V,10V
71 毫欧 @ 3A,10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
786,002
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80145
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
44 毫欧 @ 4.3A,10V
1.3V @ 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
38,737
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70592
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
50 毫欧 @ 4A,10V
1.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±12V
340 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
8,855
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.04405
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.5V,4.5V
35 毫欧 @ 4A,4.5V
1.3V @ 1mA
8 nC @ 4.5 V
±10V
680 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
SOT223-3L
NDT3055
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
onsemi
12,625
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.18258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta)
10V
100 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 30 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
NDT3055L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
onsemi
851
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.43383
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 4A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
9,187
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.38099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
4A(Ta)
5V
160 毫欧 @ 500mA,5V
2.5V @ 250µA
0.48 nC @ 5 V
+6V,-4V
55 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
8,393
现货
1 : ¥26.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.72820
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
40 V
4A(Ta)
5V
110 毫欧 @ 500mA,5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V,-4V
52 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC8009
GANFET N-CH 65V 4A DIE
EPC
9,088
现货
1 : ¥28.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.01172
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
65 V
4A(Ta)
5V
130 毫欧 @ 500mA,5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V,-4V
52 pF @ 32.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
17,269
现货
1 : ¥76.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
4A(Ta)
15V
7 欧姆 @ 2A,15V
-
-
±20V
1700 pF @ 10 V
-
125W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
MMFTP3401
MMFTP3401
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
Diotec Semiconductor
18,457
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
65 毫欧 @ 4A,10V
1.3V @ 250µA
-
±12V
954 pF @ 0 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4,931
现货
1 : ¥2.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75544
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.5V,4.5V
42.7 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UF6
6-SMD,扁平引线
TO-236AB
PMV48XPA2R
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Nexperia USA Inc.
17,503
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79023
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
2.5V,8V
49毫欧 @ 4A,8V
1.3V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
679 pF @ 10 V
-
610mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
19,705
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38573
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
57 毫欧 @ 4A,4.5V
1.2V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±12V
756 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
SSM3K376R,LXHF
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Toshiba Semiconductor and Storage
11,523
现货
1 : ¥3.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81839
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V,-8V
200 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
AO3434A
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
37,573
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68272
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
52 毫欧 @ 4A,10V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
245 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMN3053L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
14,145
现货
111,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87200
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
2.5V,10V
45 毫欧 @ 4A,10V
1.4V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±12V
676 pF @ 15 V
-
760mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
26,099
现货
1 : ¥3.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.5V,4.5V
33 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
24,669
现货
1 : ¥3.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59156
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V,-8V
200 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
6,188
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
4V,10V
71 毫欧 @ 3A,10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
+10V,-20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-261-4, TO-261AA
PJW4N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,035
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.14471
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
±20V
509 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-236AB
PMV41XPAR
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Nexperia USA Inc.
3,102
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90834
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
28 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
21 nC @ 4.5 V
±12V
1254 pF @ 15 V
-
510mW(Ta), 7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 232

4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。