44A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 130
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSIXYS-RFMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.onsemiQorvoSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationTexas Instruments
系列
-AlphaSGT™CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ G7DeepGATE™, STripFET™ VIG3R™, LoRing™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Q3 Class
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V50 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V300 V500 V550 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V12V15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.6 毫欧 @ 20A,10V4.7 毫欧 @ 20A,10V8.3 毫欧 @ 44A,10V8.4 毫欧 @ 24A,10V9.8 毫欧 @ 15A,10V11 毫欧 @ 15A,10V12.5 毫欧 @ 20A,10V13.3 毫欧 @ 6A,10V14.6 毫欧 @ 22A,10V15.1 毫欧 @ 10A,10V15.7 毫欧 @ 15A,10V16 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.3V @ 23µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA3V @ 250µA3.4V @ 250µA3.8V @ 49µA3.9V @ 4mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 4.5 V10.4 nC @ 10 V11.3 nC @ 5 V18.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V20 nC @ 5 V20.1 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V22 nC @ 10 V28 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V±20V+25V,-15V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 400 V681 pF @ 15 V1060 pF @ 25 V1132 pF @ 30 V1172 pF @ 30 V1190 pF @ 25 V1211 pF @ 25 V1262 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1300 pF @ 50 V1400 pF @ 15 V1400 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
1.6W1.92W(Ta),32W(Tc)2.4W(Ta),330W(Tc)2.5W(Ta),100W(Tc)2.5W(Ta),52W(Tc)2.7W(Ta)3.2W(Ta),63W(Tc)11W(Tc)34W(Tc)36W(Tc)38W(Tc)46W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-DFN(5x6)8-HPSOF8-PDFN(5x6)8-VSONP(5x6)D2PAK-7DPAKIPAK(TO-251AA)ISO TO-247-3ISOPLUS247™ISOPLUS264™ISOTOP®LFPAK33
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN9-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SLWSC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 全封装,成形引线TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
130结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 130
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN017-60YS,115
MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
67,608
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.10182
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V44A(Tc)10V15.7 毫欧 @ 15A,10V4V @ 1mA20 nC @ 10 V±20V1172 pF @ 30 V-74W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型LFPAK56,Power-SO8SC-100,SOT-669
8-Power TDFN
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
12,549
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.42931
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)6V,10V15.1 毫欧 @ 10A,10V3.4V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1680 pF @ 50 V-3.2W(Ta),63W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
TO252-3
IRFR1205TRPBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Infineon Technologies
321
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.25097
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V44A(Tc)10V27 毫欧 @ 26A,10V4V @ 250µA65 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-107W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
Infineon Technologies
14,477
现货
1 : ¥13.96000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.28996
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)4.5V,10V14.6 毫欧 @ 22A,10V2.3V @ 23µA10 nC @ 4.5 V±20V1300 pF @ 50 V-2.5W(Ta),52W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TDSON-8-68-PowerTDFN
TO-220-3
IXTP44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
IXYS
2,300
现货
1 : ¥15.68000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)10V30 毫欧 @ 22A,10V4.5V @ 25µA33 nC @ 10 V±30V1262 pF @ 25 V-130W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-263
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
onsemi
295
现货
1 : ¥21.18000
剪切带(CT)
800 : ¥11.84486
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V44A(Tc)10V69 毫欧 @ 22A,10V5V @ 250µA61 nC @ 10 V±30V2870 pF @ 25 V-307W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA44P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXYS
23,103
现货
1 : ¥51.39000
剪切带(CT)
800 : ¥32.40753
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)150 V44A(Tc)10V65 毫欧 @ 22A,10V4V @ 250µA175 nC @ 10 V±15V13400 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXYS
2,892
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)150 V44A(Tc)10V65 毫欧 @ 22A,10V4V @ 250µA175 nC @ 10 V±15V13400 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-HSOF-8-2
IPT60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Infineon Technologies
7,335
现货
1 : ¥86.61000
剪切带(CT)
2,000 : ¥46.02534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V44A(Tc)10V50 毫欧 @ 15.9A,10V4V @ 800µA68 nC @ 10 V±20V2670 pF @ 400 V-245W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-HSOF-8-28-PowerSFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN9R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
11,901
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.36008
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V44A(Tc)4.5V,10V9.8 毫欧 @ 15A,10V1.95V @ 1mA10.4 nC @ 10 V±20V681 pF @ 15 V-34W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型LFPAK56,Power-SO8SC-100,SOT-669
5,781
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.76478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V44A(Tc)4.5V,10V17 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA29 nC @ 10 V±20V1556 pF @ 30 V-73.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-PDFN(5x6)8-PowerTDFN
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS181ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
1,503
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.61039
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)80 V44A(Tc)4.5V,10V31 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA45 nC @ 10 V±20V2771 pF @ 25 V-119W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼PowerPAK® 1212-8SLWPowerPAK® 1212-8SLW
MFG_DPAK(TO252-3)
STD44N4LF6
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
STMicroelectronics
7,322
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.97986
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V44A(Tc)5V,10V12.5 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1190 pF @ 25 V-50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
CSD19534Q5AT
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
8,926
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
250 : ¥8.34956
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)6V,10V15.1 毫欧 @ 10A,10V3.4V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V1680 pF @ 50 V-3.2W(Ta),63W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-VSONP(5x6)8-PowerTDFN
PG-TO-220-FP
IPA083N10N5XKSA1
MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP
Infineon Technologies
490
现货
1 : ¥19.05000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)6V,10V8.3 毫欧 @ 44A,10V3.8V @ 49µA37 nC @ 10 V±20V2730 pF @ 50 V-36W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO220-FPTO-220-3 整包
TO-220-3
IXTP44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
IXYS
295
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)150 V44A(Tc)10V65 毫欧 @ 500mA,10V4V @ 250µA175 nC @ 10 V±15V13400 pF @ 25 V-298W(Tc)---通孔TO-220-3TO-220-3
TO-263
FCB070N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
onsemi
9
现货
1 : ¥49.99000
剪切带(CT)
800 : ¥31.51076
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V44A(Tc)10V70 毫欧 @ 22A,10V4.5V @ 4.4mA78 nC @ 10 V±30V3090 pF @ 400 V-312W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FCP067N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
onsemi
766
现货
1 : ¥50.90000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V44A(Tc)10V67 毫欧 @ 22A,10V4.5V @ 4.4mA78 nC @ 10 V±30V3090 pF @ 400 V-312W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
TO-263
NVB072N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
onsemi
678
现货
1 : ¥65.10000
剪切带(CT)
800 : ¥41.04140
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V44A(Tc)10V72 毫欧 @ 24A,10V4.5V @ 1mA82 nC @ 10 V±30V330 pF @ 400 V-312W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Infineon Technologies
1,053
现货
1 : ¥79.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥45.17005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V44A(Tc)10V40.7 毫欧 @ 44A,10V4V @ 270µA87 nC @ 10 V±20V7180 pF @ 100 V-300W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IPP410N30NAKSA1
MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Infineon Technologies
463
现货
1 : ¥79.63000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V44A(Tc)10V41 毫欧 @ 44A,10V4V @ 270µA87 nC @ 10 V±20V7180 pF @ 100 V-300W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔PG-TO220-3TO-220-3
UF3C120080B7S
UJ4C075033B7S
750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Qorvo
639
现货
1 : ¥87.02000
剪切带(CT)
800 : ¥60.11295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(共源共栅 SiCJFET)750 V44A(Tc)12V41 毫欧 @ 30A,12V6V @ 10mA37.8 nC @ 15 V±20V1400 pF @ 400 V-197W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型D2PAK-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
NVHL080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
onsemi
365
现货
27,900
工厂
1 : ¥126.45000
管件
-
管件
不适用于新设计N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V44A(Tc)20V110 毫欧 @ 20A,20V4.3V @ 5mA56 nC @ 20 V+25V,-15V1670 pF @ 800 V-348W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247-3TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4229PBF
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Infineon Technologies
1,239
现货
在售
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V44A(Tc)10V46 毫欧 @ 26A,10V5V @ 250µA110 nC @ 10 V±30V4560 pF @ 25 V-310W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247ACTO-247-3
LFPAK33
BUK9M14-40EX
MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
6,698
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.90397
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V44A(Tc)5V11 毫欧 @ 15A,10V2.1V @ 1mA11.3 nC @ 5 V±10V1211 pF @ 25 V-55W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型LFPAK33SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
显示
/ 130

44A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。