42A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 203
制造商
Comchip TechnologyGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.STMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-EG3R™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarP2™HiPerFET™, Q3 ClassMDmesh™MDmesh™ M2MDmesh™ VOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V100 V120 V150 V200 V250 V300 V500 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V4.5V,5V10V10V,12V15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧 @ 22A,10V4.9 毫欧 @ 42A,10V5.5 毫欧 @ 42A,10V7.5 毫欧 @ 42A,10V8 毫欧 @ 42A,10V8.5 毫欧 @ 32A,10V9 毫欧 @ 42A,10V9.4 毫欧 @ 21A,10V9.7 毫欧 @ 31.2A,10V10.7 毫欧 @ 21A,10V11 毫欧 @ 37A,10V11.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 37µA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 300µA2.69V @ 7.5mA2.8V @ 1mA3V @ 250µA3.8V @ 4.84mA4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 10 V18.77 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V27 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V30.5 nC @ 10 V33 nC @ 10 V35 nC @ 5 V44 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V±10V±15V±16V+19V,-8V±20V+25V,-5V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
560 pF @ 50 V957 pF @ 30 V978 pF @ 50 V979 pF @ 25 V1130 pF @ 25 V1165 pF @ 25 V1170 pF @ 25 V1380 pF @ 25 V1440 pF @ 25 V1510 pF @ 25 V1560 pF @ 800 V1570 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.67W(Ta),37W(Tc)2.5W(Ta),73.5W(Tc)3.8W(Ta),160W(Tc)30W(Tc)34.7W(Tc)35W(Tc)40W(Tc)50W(Tc)60W(Tc)65.2W(Tc)67.57W(Tc)75W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN(SPR-PAK )(3.3x3.3)D2PAKD3PAKDPAKIPAKIPAK(TO-251AA)ISOPLUS220™ISOPLUS247™ISOTOP®LFPAK56,Power-SO8MLPAK33PG-TO220-3-1
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNISOPLUS220™PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-204AETO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
203结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 203
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR2905ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
9,018
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.53591
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 36A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 5 V
±16V
1570 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ488EP-T2_GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
14,455
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.33273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 7.1A,10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 50 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IRLR2905TRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
18,271
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.75245
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
4V,10V
27 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
23,732
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.54394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
42A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO252-3
IRLR3705ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
4,194
现货
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.31151
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 42A,10V
3V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±16V
2900 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
17,036
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.03168
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 38A,10V
2.5V @ 100µA
48 nC @ 4.5 V
±16V
3980 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3710ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
11,857
现货
1 : ¥18.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.20397
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 33A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
2930 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
10,617
现货
1 : ¥18.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.20287
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 33A,10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
2930 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF4905STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Infineon Technologies
7,444
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
800 : ¥12.42853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2Pak
STB46NF30
MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
STMicroelectronics
687
现货
1 : ¥30.62000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.82224
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
42A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2Pak
STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
2,284
现货
1 : ¥74.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥42.33521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
42A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4400 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2Pak
STB57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
10,226
现货
1 : ¥93.35000
剪切带(CT)
1,000 : ¥52.94844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
42A(Tc)
10V
63 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-227-4, miniBLOC
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
Microchip Technology
91
现货
1 : ¥554.17000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
42A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 33A,10V
5V @ 5mA
570 nC @ 10 V
±30V
18500 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
8-Power VDFN
PXN012-60QLJ
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
33,564
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.61365
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
42A(Tc)
4.5V,10V
11.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 1mA
18.77 nC @ 10 V
±20V
957 pF @ 30 V
-
34.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
TO-220-3
TK110E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
200
现货
1 : ¥10.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
10.7 毫欧 @ 21A,10V
2.5V @ 300µA
33 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 50 V
-
87W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO252-3
IRFR2905ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
2,674
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.32710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
14.5 毫欧 @ 36A,10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR3110ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Infineon Technologies
12,944
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.54327
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 38A,10V
2.5V @ 100µA
48 nC @ 4.5 V
±16V
3980 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3504ZTRPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Infineon Technologies
13,100
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.32661
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
42A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR2407TRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Infineon Technologies
3,752
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.06394
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
42A(Tc)
10V
26 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak® SO-8
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,964
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 7.4A,10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
979 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IRFR1010ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
5,525
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.77553
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 100µA
95 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR4104TRPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Infineon Technologies
6,623
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.43289
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
42A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±20V
2950 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF1310NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Infineon Technologies
557
现货
1 : ¥14.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
10V
36 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerFlat™
STL42P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,527
现货
1 : ¥14.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.61149
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
42A(Tc)
4.5V,10V
26 毫欧 @ 4.5A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-262-3
IRF4905LPBF
MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Infineon Technologies
10,714
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
42A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
显示
/ 203

42A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。