41A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 59
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoSanken Electric USA Inc.SMC Diode SolutionsSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ P7CoolSiC™ Gen 2EFG3R™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, Q ClassMDmesh™ DM6POWER MOS 7®POWER MOS 8™STripFET™ IISuperFET® V, FRFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V100 V150 V250 V400 V500 V600 V650 V800 V1200 V3300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V12V15V15V,18V15V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 10A,10V10.5 毫欧 @ 60A,10V11.6 毫欧 @ 33A,10V16 毫欧 @ 20A,10V20 毫欧 @ 22A,10V20 毫欧 @ 8.6A,10V34 毫欧 @ 25A,10V35 毫欧 @ 25A,10V45 毫欧 @ 25A,10V52 毫欧 @ 30A,12V52.6 毫欧 @ 13.2A,18V55 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.2V @ 20µA2.5V @ 1.5mA2.5V @ 250µA2.69V @ 7.5mA2.97V @ 3mA3V @ 1mA(典型值)3V @ 250µA3.5V @ 5mA3.9V @ 3mA4V @ 10mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V15.1 nC @ 10 V22 nC @ 18 V28 nC @ 10 V30 nC @ 18 V50.9 nC @ 15 V51 nC @ 15 V53 nC @ 10 V54 nC @ 15 V54 nC @ 20 V55 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±10V+19V,-8V±20V+22V,-10V+23V,-10V+23V,-7V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
660 pF @ 25 V790 pF @ 400 V939 pF @ 30 V1010 pF @ 800 V1090 pF @ 1000 V1324 pF @ 1000 V1408 pF @ 15 V1500 pF @ 100 V1560 pF @ 800 V2260 pF @ 25 V2310 pF @ 100 V2520 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.17W(Ta)1.2W(Ta)3.1W(Ta)30W(Tc)42W(Tc)45W(Tc)48W(Tc)63W(Tc)66W(Tc)149W(Tc)172W(Tc)176W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-TDFN(8x8)8-WDFN(3.3x3.3)D2PAKD3PAKISOPLUS i4-PAC™ISOPLUS264™ISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-TO263-7-12PG-VSON-4PowerDI3333-8(SWP)UX 类SOT-227
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-247-4TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
59结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 59
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SIHB068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Vishay Siliconix
1,340
现货
1 : ¥43.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-VSON-4
IPL60R065P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Infineon Technologies
10,903
现货
1 : ¥55.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥29.48891
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
201W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,464
现货
1 : ¥86.20000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
706
现货
1 : ¥88.41000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IRFP150PBF
MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Vishay Siliconix
449
现货
1 : ¥33.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
41A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
837
现货
1 : ¥90.06000
剪切带(CT)
1,000 : ¥57.04478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V,18V
52.6 毫欧 @ 13.2A,18V
5.1V @ 4.1mA
30 nC @ 18 V
+23V,-10V
1010 pF @ 800 V
-
205W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
8-WDFN
NVTFS5C471NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
onsemi
2,675
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.55685
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
41A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 20µA
5.5 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-247-3 AC EP
SIHG068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Vishay Siliconix
374
现货
1 : ¥47.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
D2PAK-3L
UF3C065040B3
MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Qorvo
593
现货
1 : ¥106.23000
剪切带(CT)
800 : ¥73.33780
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
-
650 V
41A(Tc)
12V
52 毫欧 @ 30A,12V
6V @ 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
176W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
SIHP068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
Vishay Siliconix
1,000
现货
1 : ¥43.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 16A,10V
5V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±30V
2628 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH6016LFVWQ-7
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Diodes Incorporated
3,455
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.01449
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
41A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
939 pF @ 30 V
-
1.17W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH6016LFVWQ-13
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Diodes Incorporated
2,135
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.01452
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
41A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
939 pF @ 30 V
-
1.17W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
4-PowerTxFN
NTMT061N60S5F
SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
onsemi
2,957
现货
1 : ¥67.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.07789
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
41A(Tc)
10V
61 毫欧 @ 20.5A,10V
4.8V @ 4.6mA
76 nC @ 10 V
±30V
4175 pF @ 400 V
-
255W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-TDFN(8x8)
4-PowerTSFN
374
现货
1 : ¥73.23000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.52764
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
41A(Tc)
15V,20V
62 毫欧 @ 18.2A,18V
5.6V @ 3.7mA
22 nC @ 18 V
+23V,-7V
790 pF @ 400 V
-
172W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247AD
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
216
现货
1 : ¥116.65000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
54 nC @ 20 V
+25V,-10V
1324 pF @ 1000 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-4
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
260
现货
1 : ¥120.02000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
54 nC @ 20 V
+25V,-10V
1324 pF @ 1000 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-220-F
STF120NF10
MOSFET N-CH 100V 41A TO220FP
STMicroelectronics
711
现货
1 : ¥32.92000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
41A(Tc)
10V
10.5 毫欧 @ 60A,10V
4V @ 250µA
233 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-4
MSC080SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Microchip Technology
20
现货
1 : ¥1,133.38000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
3300 V
41A(Tc)
20V
105 毫欧 @ 30A,20V
2.97V @ 3mA
55 nC @ 20 V
+23V,-10V
3462 pF @ 2400 V
-
381W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-264 PKG
APT38F80L
MOSFET N-CH 800V 41A TO264
Microchip Technology
27
现货
1 : ¥148.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
41A(Tc)
10V
240 毫欧 @ 20A,10V
5V @ 2.5mA
260 nC @ 10 V
±30V
8070 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264 [L]
TO-264-3,TO-264AA
8-WDFN
NVTFS5C471NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
onsemi
90
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.37114
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
41A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 20µA
12 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
SOT-227-4, miniBLOC
APT5010JLLU2
MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
Microchip Technology
34
现货
1 : ¥257.03000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
41A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 2.5mA
96 nC @ 10 V
±30V
4360 pF @ 25 V
-
378W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
T-MAX Pkg
APT38F80B2
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Microchip Technology
26
现货
1 : ¥151.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
41A(Tc)
10V
240 毫欧 @ 20A,10V
5V @ 2.5mA
260 nC @ 10 V
±30V
8070 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
T-MAX™ [B2]
TO-247-3 变式
D2Pak
STB41N40DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥50.08000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.41567
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
41A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 20.5A,10V
5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±25V
2310 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH6016LFVW-13
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.98497
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
41A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
939 pF @ 30 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH6016LFVW-7
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
Diodes Incorporated
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卷带(TR)
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
41A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
939 pF @ 30 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
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41A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。