4-XFBGA 单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-*TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V24 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)1.5A(Ta)1.94(Ta)2.1A(Ta)2.7A(Tc)2.8A(Ta)2.9A(Ta)3A(Ta)3.4A(Ta)6A(Ta)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
43 毫欧 @ 1A,4.5V45 毫欧 @ 3A,4.5V48 毫欧 @ 1A,4.5V54 毫欧 @ 1A,4.5V72 毫欧 @ 1A,4.5V76 毫欧 @ 1A,4.5V80 毫欧 @ 1.5A,3.7V90 毫欧 @ 1.5A,4.5V95 毫欧 @ 1A,4.5V109 毫欧 @ 1A,10V3.5 欧姆 @ 220mA,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4 nC @ 10 V2.5 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V8 nC @ 8 V10 nC @ 4.5 V15 nC @ 8 V17 nC @ 8 V19 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
-6V±5V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V195 pF @ 15 V218 pF @ 10 V245 pF @ 10 V580 pF @ 10 V615 pF @ 10 V650 pF @ 6 V
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW(Ta)860mW(Ta)900mW(Ta)900mW(Tc)1.6W(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)4-MicrofootEFCP1313-4CC-037EFCP1818-4CE-22X1-DSN1010-4(C 型)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4-XFBGA
SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
31,335
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14189
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
3A(Ta)
1.2V,4.5V
54 毫欧 @ 1A,4.5V
700mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±5V
-
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
4-XFBGA
SI8823EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Vishay Siliconix
3,344
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Tc)
1.5V,4.5V
95 毫欧 @ 1A,4.5V
800mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
580 pF @ 10 V
-
900mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
4-XFBGA
4-XFBGA
SI8810EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Vishay Siliconix
6,002
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.5V,4.5V
72 毫欧 @ 1A,4.5V
900mV @ 250µA
8 nC @ 8 V
±8V
245 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
4-XFBGA
SI8816EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
4,811
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12892
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
2.5V,10V
109 毫欧 @ 1A,10V
1.4V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Vishay Siliconix
5,820
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.9A(Ta)
1.5V,3.7V
80 毫欧 @ 1.5A,3.7V
900mV @ 250µA
17 nC @ 8 V
±8V
650 pF @ 6 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
4-XFBGA
4-XFBGA
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
1,200
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22297
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.8A(Ta)
1.8V,4.5V
43 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
17 nC @ 8 V
±8V
-
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
4-EFCP
EFC4612R-W-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
onsemi
0
现货
5,000 : ¥1.09447
卷带(TR)
*
卷带(TR)
停产
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
EFCP1313-4CC-037
4-XFBGA
4-EFCP
EFC4612R-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
24 V
6A(Ta)
-
45 毫欧 @ 3A,4.5V
1.3V @ 1mA
7 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
EFCP1313-4CC-037
4-XFBGA
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
DMP2042UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Diodes Incorporated
960
现货
228,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17774
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
48 毫欧 @ 1A,4.5V
1.2V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X1-DSN1010-4(C 型)
4-XFBGA
4-XFBGA
SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25480
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.5V,4.5V
76 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 8 V
±8V
615 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
SI8809EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.94(Ta)
1.8V,4.5V
90 毫欧 @ 1.5A,4.5V
900mV @ 250µA
15 nC @ 8 V
±8V
-
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
EFC4621R-A-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
onsemi
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150°C(TJ)
表面贴装型
EFCP1818-4CE-22
4-XFBGA
4-EFCP
BSS138-T
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
EFCP1313-4CC-037
4-XFBGA
显示
/ 13

4-XFBGA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。