4.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 61
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageUMWYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®PowerTrench®U-MOSIIIUMWXP2P053
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V70 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 5.6A,4.5V25 毫欧 @ 5.8A,10V25 毫欧 @ 8.2A,4.5V26mOhm @ 4.2A, 4.5V28 毫欧 @ 3A,4V32 毫欧 @ 4.2A,4.5V33 毫欧 @ 2A,4.5V38 毫欧 @ 3.6A,4.5V40 毫欧 @ 4.2A,10V40 毫欧 @ 4.2A,4.5V42 毫欧 @ 4.2A,10V43 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 50µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.9 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V7.4 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V7.6 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 10 V9.4 nC @ 4.5 V9.6 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V10.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-20V-8V-6V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
298 pF @ 40 V310 pF @ 15 V425 pF @ 10 V432 pF @ 20 V436 pF @ 10 V500 pF @ 10 V505 pF @ 15 V540 pF @ 30 V590 pF @ 30 V594.3 pF @ 10 V641 pF @ 15 V655 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
310mW(Ta),455mW(Tc)490mW(Ta),5W(Tc)500mW(Ta)600mW(Ta)650mW(Ta)652mW(Ta),7.5W(Tc)750mW(Ta)780mW780mW(Ta)800mW(Ta)980mW(Ta)1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOPDFN3333-8Micro3™/SOT-23POWERDI3333-8SC-59-3SC75-6 FLMPSOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-XFDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSOP(0.130",3.30mm 宽)9-UFBGA,WLBGASC-74,SOT-457SC-75-6 FLMPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
61结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 61
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
341,120
现货
84,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60518
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
170,485
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
900mV @ 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±8V
829.9 pF @ 10 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
412,809
现货
1,290,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.41725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
172,489
现货
1,782,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54243
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2305U-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
74,974
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60649
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
60 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
7.6 nC @ 4.5 V
±8V
727 pF @ 20 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMP6110SFDF-7
MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
84,206
现货
1,260,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.97W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
93,475
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-TSOP
AO6420
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
216,227
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14938
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SC-59-3
DMN3070SSN-7
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Diodes Incorporated
4,153
现货
708,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85260
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 4.2A,10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±20V
697 pF @ 15 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
28,411
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59045
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV50EPEAR
MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
13,369
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),455mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UXQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
1,992
现货
459,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62414
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
52 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN40ENAX
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
33,199
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19861
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 4.2A,10V
2.7V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 30 V
-
652mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
X4-DSN1006-3
DMP2043UCA3-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Diodes Incorporated
4,588
现货
950,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.13534
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 1A,4.5V
1.2V @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
-20V
425 pF @ 10 V
-
650mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DSN1010-3
3-XFDFN
SOT-23-3
DMG3414UQ-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
2,663
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95380
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
900mV @ 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±8V
829.9 pF @ 10 V
-
780mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3404L-7
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
40,238
现货
2,154,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79556
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±20V
641 pF @ 15 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
22,368
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00732
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.5V,4V
28 毫欧 @ 3A,4V
1V @ 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
TO-236AB
PMV30UN2R
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
139,187
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85747
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.2V,4.5V
32 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
655 pF @ 10 V
-
490mW(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
AO4486
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,857
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.85227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
79 毫欧 @ 3A,10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252-2
ZXMN7A11KTC
MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Diodes Incorporated
7,862
现货
62,500
工厂
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.90084
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
4.2A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 4.4A,10V
1V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 40 V
-
2.11W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
DMP2305UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
3,000
现货
3,000 : ¥0.84868
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.8V,4.5V
60 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
7.6 nC @ 4.5 V
±8V
727 pF @ 20 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
29,300
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00732
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
1.5V,4V
28 毫欧 @ 3A,4V
1V @ 1mA
16.8 nC @ 4 V
±10V
1050 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UF6
6-SMD,扁平引线
TO-252-2
ZXMN10A25KTC
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Diodes Incorporated
4,730
现货
5,000
工厂
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.49234
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.2A(Ta)
6V,10V
125 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 250µA
17.16 nC @ 10 V
±20V
859 pF @ 50 V
-
2.11W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerDI3333-8
DMN10H099SFG-7
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,621
现货
18,000
工厂
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.04771
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.2A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 3.3A,10V
3V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 50 V
-
980mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMG2302UQ-13
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
15,020
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.98525
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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4.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。