38A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

NVATS5A113PLZT4G MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	38A（Ta）	4V，10V	29.5 毫欧 @ 18A，10V	2.6V @ 1mA	55 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 20 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	ATPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2SJ661-DL-1E MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2 onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	38A（Ta）	4V，10V	39 毫欧 @ 19A，10V	-	80 nC @ 10 V	±20V	4360 pF @ 20 V	-	1.65W（Ta），65W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
2SJ661-1E MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3 onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	38A（Ta）	4V，10V	39 毫欧 @ 19A，10V	-	80 nC @ 10 V	±20V	4360 pF @ 20 V	-	1.65W（Ta），65W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262-3	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TK065N65Z,S1F MOSFET N-CH 650V 38A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	60 现货	1 : ¥54.76000 管件	DTMOSVI	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	38A（Ta）	10V	65 毫欧 @ 19A，10V	4V @ 1.69mA	62 nC @ 10 V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
NTMFS5C604NLT1G MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN onsemi	0 现货 60,000 工厂查看交期	1 : ¥25.70000 剪切带（CT） 1,500 : ¥13.29119 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	38A（Ta）	4.5V，10V	1.2 毫欧 @ 50A，10V	2V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	8900 pF @ 25 V	-	3.9W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
TK065U65Z,RQ DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥48.44000 剪切带（CT） 2,000 : ¥25.96373 卷带（TR）	DTMOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	38A（Ta）	10V	65 毫欧 @ 19A，10V	4V @ 1.69mA	62 nC @ 10 V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	TOLL	8-PowerSFN
TK065Z65Z,S1F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4 Toshiba Semiconductor and Storage	25 现货	1 : ¥60.42000 管件	DTMOSVI	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	38A（Ta）	10V	65 毫欧 @ 19A，10V	4V @ 1.69mA	62 nC @ 10 V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-247-4L（T）	TO-247-4
STK822 MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK STMicroelectronics	0 现货	3,000 : ¥14.04469 卷带（TR）	STripFET™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	38A（Ta）	4.5V，10V	2.15 毫欧 @ 19A，10V	2.5V @ 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	6060 pF @ 25 V	-	5.2W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PolarPak®	PolarPak®
2SJ661-DL-E MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD onsemi	0 现货	1,000 : ¥20.04244 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	38A（Ta）	4V，10V	39 毫欧 @ 19A，10V	2.6V @ 1mA	80 nC @ 10 V	±20V	4360 pF @ 20 V	-	1.65W（Ta），65W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SMP-FD	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TPCA8036-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 30V 38A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	U-MOSVI-H	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	38A（Ta）	4.5V，10V	4.2 毫欧 @ 19A，10V	2.3V @ 500µA	50 nC @ 10 V	±20V	4600 pF @ 10 V	-	1.6W（Ta），45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
RJL5020DPK-00#T0 MOSFET N-CH 500V 38A TO3P Renesas Electronics Corporation	0 现货	在售	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	38A（Ta）	10V	135 毫欧 @ 19A，10V	-	140 nC @ 10 V	±30V	4750 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3