36A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

EPC2001C GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE EPC	107,196 现货	1 : ¥40.88000 剪切带（CT） 2,500 : ¥19.89447 卷带（TR）	eGaN®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	GaNFET（氮化镓）	100 V	36A（Ta）	5V	7 毫欧 @ 25A，5V	2.5V @ 5mA	9 nC @ 5 V	+6V，-4V	900 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	模具	模具
DMP3010LPSQ-13 MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	2,280 现货 3,105,000 工厂	1 : ¥9.19000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.80280 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	36A（Ta）	4.5V，10V	7.5 毫欧 @ 10A，10V	2.1V @ 250µA	126.2 nC @ 10 V	±20V	6234 pF @ 15 V	-	2.18W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
IRLR2905CPBF MOSFET N-CH 55V 36A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	36A（Ta）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TPCA8A01-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	36A（Ta）	4.5V，10V	5.6 毫欧 @ 18A，10V	2.3V @ 1mA	35 nC @ 10 V	±20V	1970 pF @ 10 V	-	1.6W（Ta），45W（Tc）	150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
2SK3482-AZ MOSFET N-CH 100V 36A TO251 Renesas Electronics Corporation	0 现货	停产	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	36A（Ta）	4.5V，10V	33 毫欧 @ 18A，10V	-	72 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 10 V	-	1W（Ta），50W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-251	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA