3.7A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CELITTLE FOOT®MDmesh™ II PlusQFET®UniFET-II™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V200 V400 V500 V600 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V10V13V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
144 毫欧 @ 2.5A,4.5V950 毫欧 @ 1.2A,13V1 欧姆 @ 2.1A,10V1.4 欧姆 @ 1.85A,10V1.5 欧姆 @ 1.1A,18V1.75 欧姆 @ 1.85A,10V2.1 欧姆 @ 760mA,10V2.1 欧姆 @ 800mA,10V2.3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA3.5V @ 100µA3.5V @ 60µA4V @ 250µA4V @ 900µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.5 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V6.8 nC @ 5 V10.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 18 V14.3 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V+22V,-6V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 100 V165 pF @ 100 V184 pF @ 800 V231 pF @ 100 V276 pF @ 10 V430 pF @ 25 V485 pF @ 25 V532 pF @ 25 V700 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta),2.8W(Tc)2.5W(Ta),45W(Tc)5W(Tc)20W(Tc)25.7W(Tc)35W(Tc)38W(Tc)45W(Tc)48W(Ta)62.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™IPAKPG-SOT223-3PG-TO220-3-FPPG-TO251-3TO-220TO-220-3TO-220FPTO-252-3TO-252AATO-3PFM
封装/外壳
8-SMD,扁平引线TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-3PFM,SC-93-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-SOT223-3
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
8,209
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.53362
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 800mA,10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-3
TO-261-4,TO-261AA
TO-3PFM
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
2,213
现货
1 : ¥59.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
3.7A(Tc)
18V
1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
4V @ 900µA
14 nC @ 18 V
+22V,-6V
184 pF @ 800 V
-
35W(Tc)
175°C(TJ)
通孔
TO-3PFM
TO-3PFM,SC-93-3
TO-220AB Full Pack
IRFI730GPBF
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Vishay Siliconix
1,270
现货
1 : ¥11.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.7A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 2.1A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220-F
STF5N60M2
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
STMicroelectronics
1,961
现货
1 : ¥12.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
4V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±25V
165 pF @ 100 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
I-Pak
STU5N60M2
MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
STMicroelectronics
831
现货
1 : ¥10.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
4V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±25V
165 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252AA
FQD5P20TM
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88884
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥5.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.1 欧姆 @ 760mA,10V
3.5V @ 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
38W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TO220-3-FP
IPA50R950CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥7.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.7A(Tc)
13V
950 毫欧 @ 1.2A,13V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 100 V
-
25.7W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-FP
TO-220-3 整包
TO-252AA
FQD5P20TF
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥2.84750
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMG4N60SK3-13
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.71752
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
2.3 欧姆 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±30V
532 pF @ 25 V
-
48W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP5N60M2
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
STMicroelectronics
15
现货
1 : ¥12.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
4V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±25V
165 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB Full Pack
IRFI730G
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.7A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 2.1A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
I-PAK
FQU5P20TU
MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252AA
FQD5P20TM_F080
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.85A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FDD5N50NZFTM
MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.7A(Tc)
10V
1.75 欧姆 @ 1.85A,10V
5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5547
SI5855CDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Tc)
1.8V,4.5V
144 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 5 V
±8V
276 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.3W(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
显示
/ 16

3.7A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。