单 FET,MOSFET

结果 : 2,816
制造商
Infineon TechnologiesVishay General Semiconductor - Diodes DivisionVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V14 V20 V24 V25 V28 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA(Ta)700mA(Ta)760mA(Ta)780mA(Ta)900mA(Ta)1.2A(Ta)1.5A(Ta)1.6A(Ta)1.7A(Ta)1.9A(Ta)2A(Ta)2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,2.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,10V2.7V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V4V,10V4.3V,10V4.5V4.5V,10V4.5V,7V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.6 毫欧 @ 195A,10V0.69 毫欧 @ 100A,10V0.7 毫欧 @ 61A,10V0.75 毫欧 @ 100A,10V0.95 毫欧 @ 50A,10V1 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 160A,10V1.1 毫欧 @ 35A,10V1.1 毫欧 @ 50A,10V1.15 毫欧 @ 50A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.25 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)600mV @ 500µA(最小)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 11µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.1V @ 10µA1.1V @ 150µA1.1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.67 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 2.5 V2 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V2.6 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.45 V3.6 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±16V+20V,-12V±20V±25V±30V40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
64 pF @ 25 V75 pF @ 25 V85 pF @ 25 V88 pF @ 25 V97 pF @ 15 V110 pF @ 15 V150 pF @ 25 V160 pF @ 25 V170 pF @ 25 V190 pF @ 25 V210 pF @ 15 V210 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)540mW(Ta)1W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta),42W(Tc)1.5W(Ta)1.5W(Tc)1.51W(Ta)1.6W(Ta),2.5W(Tc)1.7W(Ta)1.79W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-FlipFet™6-PQFN(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)6-TSOP8-PQFN 双(3.3x3.3)8-PQFN(3.1x3.1)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-PQFN(3x3)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC8-TSSOP
封装/外壳
4-FlipFet™6-PowerVDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TQFN 裸露焊盘8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-VQFN 裸露焊盘8-WDFN 裸露焊盘DirectFET™ 等容 MNDirectFET™ 等容 MP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2,816结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 2,816
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
464,697
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70090
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.3A(Ta)
2.5V,4.5V
21 毫欧 @ 6.3A,4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
206,439
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72964
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 5.2A,10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
67,445
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77862
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
760mA(Ta)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 600mA,10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
34,605
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85128
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
5.8A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 5.8A,10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
80,621
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88634
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
77,138
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87569
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V,4.5V
250 毫欧 @ 930mA,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
147,845
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92265
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF
MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Infineon Technologies
121,336
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.40184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta),12A(Tc)
2.5V,4.5V
11.7 毫欧 @ 8.5A,4.5V
1.1V @ 10µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
1110 pF @ 10 V
-
1.98W(Ta),9.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
31,286
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
229,048
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77329
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 4.1A,4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
205,958
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.94214
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
780mA(Ta)
2.7V,4.5V
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
147,001
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80298
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 910mA,10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
133,607
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02908
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
2.5V,4.5V
29 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
77,741
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
72,596
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02908
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Ta)
4.5V,10V
98 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
9,964
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.6A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 3.6A,10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
95,741
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-PowerVDFN
IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Infineon Technologies
70,446
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.37351
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.8A(Ta),19A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 8.5A,10V
2.35V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
43,330
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13548
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.7A(Ta)
4.5V,10V
92 毫欧 @ 2.7A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
42,299
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.47258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.4A(Ta)
4.5V,10V
112 毫欧 @ 3.4A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
163,186
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.40755
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
35,130
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.70864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 25A,10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF9393TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
10,949
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.91894
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
10V,20V
13.3 毫欧 @ 9.2A,20V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±25V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-6
IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Infineon Technologies
75,234
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.95318
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.5A(Ta)
2.5V,4.5V
30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
1.2V @ 250µA
22 nC @ 5 V
±12V
1310 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(SOT23-6)
SOT-23-6
SOT223-3L
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Infineon Technologies
25,631
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.03710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
2A(Ta)
4V,10V
140 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±16V
230 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。