单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SIA4265EDJ-T1-GE3 P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Vishay Siliconix	3,386 现货	1 : ¥3.37000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.12645 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	7.8A（Ta），9A（Tc）	1.8V，4.5V	32 毫欧 @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	36 nC @ 8 V	±8V	1180 pF @ 0 V	-	2.9W（Ta），15.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
SI2392ADS-T1-BE3 N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Vishay Siliconix	5,748 现货	1 : ¥4.27000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.20581 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	2.2A（Ta），3.1A（Tc）	4.5V，10V	126 毫欧 @ 2A，10V	3V @ 250µA	10.4 nC @ 10 V	±20V	196 pF @ 50 V	-	1.25W（Ta），2.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3