单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
EPCVishay Siliconix
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V200 V240 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.7A（Ta）6.3A（Ta）10A（Ta）14A（Ta）16A（Ta）18A（Ta）36A（Ta）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，5V7 毫欧 @ 16A，5V7 毫欧 @ 25A，5V13.5 毫欧 @ 11A，5V20 毫欧 @ 6A，5V22 毫欧 @ 14A，5V25 毫欧 @ 3A，5V45 毫欧 @ 1A，5V65 毫欧 @ 1A，5V180 毫欧 @ 6A，5V4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 1.5mA2.5V @ 1mA2.5V @ 2mA2.5V @ 3mA2.5V @ 5mA2.5V @ 600µA2.5V @ 7mA2.5V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.91 nC @ 5 V1.15 nC @ 5 V2.1 nC @ 5 V2.2 nC @ 5 V4 nC @ 5 V5.9 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V8 nC @ 10 V9 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
90 pF @ 50 V115 pF @ 30 V238 pF @ 40 V258 pF @ 50 V407 pF @ 50 V600 pF @ 100 V628 pF @ 280 V685 pF @ 50 V900 pF @ 50 V2703 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）模具
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
34,866
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.30106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
25 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.1 nC @ 5 V
+6V，-4V
258 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
21,401
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
65 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 600µA
0.91 nC @ 5 V
+6V，-4V
90 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
EPC
561
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
60 V
1.7A（Ta）
5V
45 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 800µA
1.15 nC @ 5 V
+6V，-4V
115 pF @ 30 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
153,612
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.87808
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
18A（Ta）
5V
13.5 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 3mA
4 nC @ 5 V
+6V，-4V
407 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
28,499
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.82266
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
14A（Ta）
5V
22 毫欧 @ 14A，5V
2.5V @ 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V，-4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
34,534
现货
1 : ¥30.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.97530
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
16A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 5mA
6.5 nC @ 5 V
+6V，-4V
685 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2050
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
EPC
12,380
现货
1 : ¥33.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥22.37191
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
350 V
6.3A（Ta）
5V
180 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 1mA
4 nC @ 5 V
+6V，-4V
628 pF @ 280 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
97,078
现货
1 : ¥40.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥19.89575
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
36A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 5mA
9 nC @ 5 V
+6V，-4V
900 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
12,115
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.98541
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A（Ta）
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
2703 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
8,922
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71769
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
200mA（Ta）
2.5V，10V
4 欧姆 @ 300mA，10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2214
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
EPC
20,730
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.84954
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
10A（Ta）
5V
20 毫欧 @ 6A，5V
2.5V @ 2mA
2.2 nC @ 5 V
+6V，-4V
238 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。