20A（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 120
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DTMOSIIDTMOSIVFASTIRFET™, HEXFET®HEXFET®NexFET™PowerTrench®SRFET™TrenchFET®U-MOSIIIU-MOSIVU-MOSVIU-MOSVI-HU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘散装管件袋
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V25 V30 V36 V40 V45 V60 V80 V100 V200 V250 V500 V600 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，4V4V，10V4V，5V4.5V，10V5V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 29A，4.5V3.8 毫欧 @ 10A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4.2 毫欧 @ 20A，10V4.4 毫欧 @ 20A，10V4.4 毫欧 @ 30A，10V4.5 毫欧 @ 20.5A，10V4.5 毫欧 @ 20A，10V4.5 毫欧 @ 35A，10V4.6 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 20A，10V4.7 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 500µA2.1V @ 250µA2.1V @ 25µA2.2V @ 250µA2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 10 V4.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V14 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V15.8 nC @ 5 V16 nC @ 10 V16 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V18.9 nC @ 10 V19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-20V±10V±12V±15V+20V，-25V±20V20V±25V±30V40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
655 pF @ 10 V750 pF @ 20 V780 pF @ 10 V820 pF @ 10 V887 pF @ 20 V950 pF @ 10 V951 pF @ 15 V985 pF @ 10 V990 pF @ 25 V998 pF @ 15 V1011 pF @ 13 V1015 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
700mW（Ta），19W（Tc）700mW（Ta），27W（Tc）840mW（Ta），65W（Tc）1W（Ta），23W（Tc）1.36W（Ta），60W（Tj）1.6W（Ta），30W（Tc）1.6W（Ta），32W（Tc）1.7W（Ta）1.75W（Ta），74W（Tc）1.88W（Ta）1.88W（Ta），60W（Tj）1.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 125°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP（8x8）4-TFP（9.2x9.2）6-WSON（2x2）8-DFN（2x2）8-PSOP8-SO8-SO FLMP8-SOIC8-SOP8-SOP Advance（5x5）8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
3-SMD，扁平引线4-VSFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-PowerWFDFN8-SMD，扁平引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘8-TQFN 裸露焊盘22-UFBGA，WLCSPPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
120结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 120
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
25,251
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.58988
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DPAK_369C
NTD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
onsemi
2,032
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.20620
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4V，5V
27 毫欧 @ 10A，5V
2V @ 250µA
18.9 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 25 V
-
1.75W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF7832TRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Infineon Technologies
37,825
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.60120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.32V @ 250µA
51 nC @ 4.5 V
±20V
4310 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
23,590
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.78992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-VSONP
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
38,984
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.34430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
10.2 毫欧 @ 8A，10V
1.9V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
6-WSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
44,551
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.38533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Ta）
1.8V，4.5V
23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8-VSONP
CSD17578Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
23,934
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.82224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
24,114
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.32479
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Ta）
2.5V，4.5V
5.5 毫欧 @ 20A，4.5V
1.6V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±12V
4630 pF @ 10 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DPAK_369C
NTD20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
onsemi
5,478
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.51379
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Ta）
10V
46 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 25 V
-
1.88W（Ta），60W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Rohm Semiconductor
3,335
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.60905
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta）
4V，10V
46 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,073
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.39553
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 10A，10V
-
29 nC @ 4.5 V
±20V
4160 pF @ 10 V
-
55W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
RB098BM-40FNSTL
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Rohm Semiconductor
6,223
现货
1 : ¥23.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.90251
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta）
4V，10V
46 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
6-WSON
CSD25310Q2T
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
18,940
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
250 : ¥4.07348
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Ta）
1.8V，4.5V
23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
9,887
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.96505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta）
6V，10V
22.2 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 1mA
37 nC @ 10 V
+10V，-20V
1850 pF @ 10 V
-
41W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-VSONP
CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4,881
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
250 : ¥4.60708
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
10.2 毫欧 @ 8A，10V
1.9V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
4,045
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.76514
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.1 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 200µA
21 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 10 V
-
840mW（Ta），65W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4,206
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
250 : ¥6.82952
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
RB098BM-40FNSTL
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
2,951
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.09301
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
20A（Ta）
4V，10V
28 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3H200SNFRATL
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
1,637
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.65716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
20A（Ta）
4V，10V
28 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
3,000
现货
3,000 : ¥13.30576
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
20A（Ta）
10V
85 毫欧 @ 10A，10V
-
19 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
WPAK（3F）（5x6）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7858ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,050
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.77818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
20A（Ta）
2.5V，4.5V
2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
1.5V @ 250µA
80 nC @ 4.5 V
±8V
5700 pF @ 6 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7858ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,832
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.77818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
20A（Ta）
2.5V，4.5V
2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
1.5V @ 250µA
80 nC @ 4.5 V
±8V
5700 pF @ 6 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
4,812
现货
1 : ¥23.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.50947
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Ta）
10V
190 毫欧 @ 10A，10V
4.5V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 300 V
-
156W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP（8x8）
4-VSFN 裸露焊盘
5,000
现货
2,500 : ¥5.13084
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 10A，10V
-
25 nC @ 4.5 V
±20V
3850 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
6,000
现货
3,000 : ¥11.16657
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
20A（Ta）
10V
69 毫欧 @ 10A，10V
-
38 nC @ 10 V
±30V
2200 pF @ 25 V
-
65W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
WPAK（3F）（5x6）
8-PowerVDFN
显示
/ 120

20A（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。