200mA(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Comchip TechnologyIXYSLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsTorex Semiconductor Ltd
系列
-DepletionPolarQFET®STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V50 V60 V500 V600 V800 V1200 V2500 V4500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 欧姆 @ 220A,10V5 欧姆 @ 100mA,4.5V5 欧姆 @ 500mA,10V11.5 欧姆 @ 100mA,10V20 欧姆 @ 100mA,10V30 欧姆 @ 50mA,0V75 欧姆 @ 100mA,10V75 欧姆 @ 500mA,10V450 欧姆 @ 50mA,10V625 欧姆 @ 10mA,10V750 欧姆 @ 10mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 100µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA5V @ 25µA6.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 5 V4.7 nC @ 10 V6.2 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V10.4 nC @ 10 V10.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±18V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
34 pF @ 10 V43 pF @ 25 V50 pF @ 25 V50 pF @ 10 V104 pF @ 25 V116 pF @ 25 V120 pF @ 25 V170 pF @ 25 V195 pF @ 25 V246 pF @ 25 V256 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)350mW(Ta)350mW(Tc)400mW(Ta)1.1W(Ta),25W(Tc)2.1W(Tc)33W(Tc)78W(Tc)83W(Tc)113W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™PLUS-220SMDSOT-223-3SOT-223-4SOT-23-3SOT-323SOT-323-3ATO-220-3TO-247(IXTH)TO-247HVTO-251AATO-252AATO-263AATO-263HV
封装/外壳
i4-Pac™-5(3 引线)PLUS-220SMDSC-70,SOT-323TO-220-3TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-3TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
onsemi
6,940
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.27444
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
200mA(Tc)
10V
11.5 欧姆 @ 100mA,10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Littelfuse Inc.
1,702
现货
1 : ¥145.14000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
200mA(Tc)
10V
450 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
116 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
IXBF12N300
IXTF02N450
MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
IXYS
436
现货
525
工厂
1 : ¥358.01000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
4500 V
200mA(Tc)
10V
750 欧姆 @ 10mA,10V
6.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5(3 引线)
TO-92-3 Formed Leads
2N7000TA
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
3,565
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥0.77858
带盒(TB)
-
剪切带(CT)
带盒(TB)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Tc)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
30,559
现货
10,000
工厂
1 : ¥2.96000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Tc)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-252-3
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Littelfuse Inc.
18,128
现货
350
工厂
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
200mA(Tc)
10V
75 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 100µA
4.7 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA02N250HV
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Littelfuse Inc.
190
现货
1 : ¥98.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
200mA(Tc)
10V
450 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
116 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO 247 HV EP
IXTH02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Littelfuse Inc.
128
现货
1 : ¥209.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
4500 V
200mA(Tc)
10V
625 欧姆 @ 10mA,10V
6.5V @ 250µA
10.6 nC @ 10 V
±20V
246 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247HV
TO-247-3 变式
TO-251
IXTU02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
IXYS
372
现货
1 : ¥11.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
200mA(Tc)
10V
30 欧姆 @ 50mA,0V
5V @ 25µA
-
±20V
120 pF @ 25 V
耗尽模式
1.1W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252-3
IXTY02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
IXYS
328
现货
2,940
工厂
1 : ¥19.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
200mA(Tc)
-
30 欧姆 @ 50mA,0V
-
-
±20V
120 pF @ 25 V
耗尽模式
1.1W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IXTP02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Littelfuse Inc.
2,275
现货
1 : ¥21.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
200mA(Tc)
10V
75 欧姆 @ 100mA,10V
4V @ 100µA
4.7 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
IXYS
32
现货
1 : ¥54.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
200mA(Tc)
10V
30 欧姆 @ 50mA,0V
5V @ 25µA
-
±20V
120 pF @ 25 V
耗尽模式
1.1W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-268
IXTT02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥262.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
4500 V
200mA(Tc)
10V
750 欧姆 @ 10mA,10V
6.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.28331
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
200mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 100mA,10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
SOT-323
XP231P02013R-G
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3
Torex Semiconductor Ltd
0
现货
查看交期
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
200mA(Tc)
2.5V,4.5V
5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±8V
34 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323-3A
SC-70,SOT-323
MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
BSS138W-G
MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
Comchip Technology
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.48131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 220A,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TS432AILT
2N7002
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.45105
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Tc)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
2 nC @ 5 V
±18V
43 pF @ 25 V
-
350mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
2,500 : ¥8.70299
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
200mA(Tc)
10V
75 欧姆 @ 100mA,10V
4V @ 100µA
4.7 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263
IXYS
0
现货
50 : ¥59.86420
管件
-
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
200mA(Tc)
10V
450 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
116 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA02N250HV-TRL
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
800 : ¥68.02143
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
200mA(Tc)
10V
450 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
116 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263HV
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
IXTV02N250S
MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
2500 V
200mA(Tc)
10V
450 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
116 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PLUS-220SMD
PLUS-220SMD
TO-263AB
IXTA02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
4500 V
200mA(Tc)
10V
750 欧姆 @ 10mA,10V
6.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU_T
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Tc)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
显示
/ 23

200mA(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。